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高性能的便携应用ESD保护方案

中心议题: 对高性能的便携应用ESD保护方案的讨论解决方案: 采用便携设备最有效的ESD保护方法 通过对外部保护元件比较及其性能测试 采用安半保护元件的USB 2.0高速应用保
随着手机等便携设备中具备更多的功能,可供静电放电(ESD)电压进入的潜在输入输出(I/O)通道更趋众多,包括键盘、按键、SIM卡、电池充电、USB接口、FM天线、LCD显示屏、耳机插孔、FM天线等众多位置都需要ESD保护。根据电容及数据率的不同,便携设备的ESD保护应用领域可分为大功率、高速和极高速等三个类型,其电容分别为大于30 pF、介于1至30 pF之间和小于1 pF,参见表1。由此表中可见,速度越高的应用要求的电容也越低,这是因为高速应用中更需要维持信号完整性及降低插入损耗。

表1:便携设备ESD保护应用分类及典型保护产品(其中红色字体为领先产品)。 
便携设备最有效的ESD保护方法

从保护方法来看,一种可能的选择是芯片内建ESD保护,但日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受内部2 kV等级ESD保护所需要的面积,故真正有效的ESD保护不能完全集成到CMOS芯片之中。另外,虽然通过在物理电路设计及软件设计方面下功夫,可以发挥一些作用,但总有部分重要电路较为敏感,很难与外部隔离,故最有效的ESD保护方法还是在便携设备的连接器或端口处放置保护元件,将极高的ESD电压钳位至较低的电压,以确保电压不会超过集成电路(IC)内氧化物的击穿电压,保护敏感IC。

在正常工作条件下,外部ESD保护元件应该保持在不动作状态,同时不会对电子系统的功能造成任何影响,这可以通过维持低电流以及低电容值来达成。而在ESD应力冲击或者说大电流冲击条件下,ESD保护元件的第一个要求就是必须能够正常工作,要有够低的电阻以便能够限制受保护点的电压;其次,必须能够快速动作,这样才能使上升时间低于纳秒的ESD冲击上升时间。

外部保护元件比较及其性能测试

常见的外部保护元件有压敏电阻、聚合物和硅瞬态电压抑制器(TVS)等,它们所采用的材料分别是金属氧化物、带导电粒子的聚合物和硅。压敏电阻在低电压时,呈现出高电阻,而在较高电压时电阻会下降。带导电粒子的聚合物在正常电压下相当高的电阻,但当遭受ESD应力时,导电粒子间的小间隙会成为突波音隙阵列,从而带来低电阻路径。TVS则为采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要针对能够以低动态电阻承载大电流的要求进行优化,由于TVS元件通常采用IC方式生产,因此我们可以看到各种各样的单向、双向及以阵列方式排列的单芯片产品。

浅谈USB 3.0的电路保护方案

中心议题:USB 3.0的电路保护方案

解决方案:USB 3.0的过流保护方案 USB 3.0电源端口的过压保护方案 USB 3.0的ESD保护方案

最新USB 3.0协议(或“SuperSpeed USB”)被开发用于提供更高的数据传输速率,并通过支持每个端口上的更高电流水平提高供电能力。它包含新的电源管理功能,以及可向后兼容USB 2.0设备的新电缆和连接器。最显著的变化是,4条附加的铜数据线被平行地增加到现有的USB 2.0总线中(如图1所示)。这些附加的铜数据线被用来传输超高速数据,但也会传输ESD(静电放电)和其它有害的瞬态电压。


图1:修订后的USB 3.0协议增加了一条双单工数据通道。

USB 3.0增加的电流和供电能力意味着需要新的电路保护方案。经过改进的电路保护方法可以帮助保护USB 3.0应用免受过流、过压及ESD瞬态电压带来的损害。

USB 3.0的过流保护

USB 3.0通过两个部件提供电源:一个标准的主机(A型连接器)以及一种新型供电设备(Powered-B连接器)。最新SuperSpeed规范提高了可供给USB设备的电流总量(从0.5A提高到0.9A)。新的Powered-B连接器允许一个USB设备以高达1.0A的电流给另一设备充电。由于过流状态会影响电源总线,所有的电源(如主机、集线器和Powered-B设备)都必须提供过流保护。过流保护也是UL60950标准所要求的。

与USB 2.0类似,所有类型的USB 3.0主机必须提供电源。USB 3.0的单个单元负载重定义为150mA,比USB 2.0的100mA略有增加。现在,一个USB 3.0主机必须能够每端口支持多达6个单元(900mA)。此外,USB 3.0集线器可能不再需要总线供电了。所有USB 3.0集线器现在必须每个端口都能够支持900mA的电流。

此外,支持USB充电和USB 3.0的系统需要能承受更高电流的过流保护器件。USB充电器规范采用与USB 2.0相同的引脚配置,但允许更高的电流(每端口高达1.5A)。

最后,USB 3.0定义了一种新的Powered-B连接器,其主要的好处是更好的便携性。Powered-B连接器允许去除USB电缆和额外的电源。使用Powered-B连接器的USB设备现在可为另一USB设备供电。通过提供两个额外的接插口,新的连接器可使一个电源(带有Powered-B连接器插座)能向另一设备(带B型供电连接器插头)提供高达1000mA的电流。例如,一台打印机可给一台无线适配器供电,从而无需一条有线USB连接。

在所有这些应用中,高分子聚合物正温度系数器件(PPTC)为USB过流保护提供了最具性价比的解决方案。PPTC器件可用于USB 3.0主机应用、USB 3.0集线器应用、USB充电器应用,以及USB 3.0 Powered-B连接器应用中的电流限流保护。在USB电源的VBUS端口安装的PPTC PolySwitch器件可在短路时限流,防止因下游电路突然短路造成的过流损坏,并有助于实现UL60950标准。

USB电源端口上的过压保护

尽管USB定义了电源总线,但这并没有消除与过压相关的风险。过压事件可由一系列失效条件导致,包括用户错误、稳压很差的第三方电源、热拔出事件和电感瞬变等。接口和充电系统也会产生负电压,这会导致未受保护的外部设备受损。尽管USB 2.0 电源的标称误差为5V±5%,但许多采用USB 2.0接口的大规模系统仍被设计成可承受16V甚至28V电压(连续)。

由于USB 3.0提高了正常工作电流及其上限,因此,针对传统0.5A 端口设计的过压保护器件可能就不太适合用于保护新的每端口0.9A的USB 3.0接口。当一个0.9A主机拔出时,高压感应尖峰就会产生,它可能会损坏总线上的其它设备。一个设计良好的总线将能吸收这些尖峰电压,从而保护设备免受尖峰电压的损害。

泰科电子的内部测试显示,热插拔引起的瞬态电压尽管非常短暂,但电压值可超过16~24V。内部测试还发现,开路电压大幅超过USB规范要求(5V±5%)的第三方充电器,可能对敏感的电子设备构成威胁。将过压保护器件(如PolyZen聚合物保护齐纳二极管器件)放置在所有USB供电设备的电源输入端(特别是在VBUS端口),有助于保护设备免遭过压事件造成的损坏。

对于USB 3.0设备,PolyZen器件可安装在USB输入端口的VBUS上、Powered-B插头的DPWR端口、桶形插座电源端口、以及USB集线器的VBUS输入端。

必须注意,USB 3.0不再支持总线供电集线器而仅支持自供电集线器。在USB 3.0应用中,需要一个电源来为集线器的所有端口供电。如果在集线器的输入端使用一个直流电源连接器,那么就必须安装一个电路保护器件来保护集线器免受过压事件的损害,如未稳流或错误电源、反向电压和瞬态电压。

图2显示了如何在VBUS上安装PolyZen器件以及在一个典型USB电路上安装6个低电容值PESD器件,才能帮助提供综合过压保护方案。


图2:综合的设备侧过压保护解决方案。

USB 3.0的ESD保护

瞬态过压经常是由ESD引起的,它可能会出现在电源总线和数据线上。尽管现代IC可对抗高达2000V的高压,但人体很容易产生出高达25000V的静电。在I/O端口保护应用中,数据线上的ESD器件必须具备以下特性:快速箝位、快速恢复响应和极低电容值。

现有的USB 2.0协议允许高达480Mbps的数据传输速率,并支持即插即用、热插拔安装和运行。与之相比,USB 3.0规范允许高达5Gbps的数据传输速率,并向后支持较低速的USB 2.0规范。

USB 3.0增加了4个接到连接器的新引脚,以支持新的SuperSpeed接口:USB3_TX(差分对)和USB3_RX(差分对)。

USB 3.0的SuperSpeed接口与USB 2.0相比,要求更低电容值的ESD保护器件。增加极低电容值的PESD器件可以帮助最小化插入损耗,以满足USB 3.0的眼图要求。凭借0.2pF的典型电容值和大于6GHz的平坦插损区域,PESD器件能够支持USB 3.0应用的要求,并处理大量ESD瞬态电压冲击。

与大多数传统的MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制器)二极管技术相比,PESD器件可提供更低的电容值,而且其低触发和低箝位电压也有助于保护敏感的电子元件。PESD器件适用于USB 2.0高速D+和D-信号线以及USB 3.0 SuperSpeed信号线的ESD保护。在电路保护方案中增加PESD器件可提升保护级别,从而满足IEC61000-4-2规范要求。该规范规定接触模式的ESD测试标准是8kV(典型)/15kV(最大),空气放电模式的ESD测试标准是15kV(典型)/25kV(最大) 。


图3:一个综合的USB 3.0电路保护方案。

综合电路保护方案

在USB应用中,一个综合保护方案可用来增强对高电流、高电压和ESD瞬态电压冲击的保护。图3和4显示了适用于USB 3.0和Powered-B连接器设计的电路保护器件。


图4:针对USB 3.0应用中最新Powered-B连接器的综合电路保护方案。

器件推荐

PPTC过流保护器件可帮助设计师满足USB 3.0规范的新的大电流要求,并提供一种简单的、节省空间的限流解决方案。PESD器件可提供高速数据传输应用所需的低电容值(典型值0.2pF),并可提供目前电子工业最流行的外形尺寸。PolyZen器件既可为设计师提供传统箝位二极管的简单性,又消除了持续过压所需的大型散热片。该器件可保护设备免受因使用不正确的电源、瞬态电压和其它因用户错误而引起的损害。

应用于便携及消费产品的完整ESD及EMI保护方案

中心议题:

电子产品的ESD保护要求 ESD保护技术 ESD和EMI解决方案

解决方案:

单端低通滤波器 共模滤波器


对于电子产品而言,保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长,更要求有强固的静电放电(ESD)保护,同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)噪声。此外,消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高的下载和带宽能力。随着设备的越来越小和融入性能的不断增加,ESD以及许多情况下的EMI/RFI抑制已无法涵盖在驱动所需接口的新一代IC当中。

另外,先进的系统级芯片(SoC)设计都是采用几何尺寸很小的工艺制造的。为了优化功能和芯片尺寸,IC设计人员一直在不断减少其设计的功能的最小尺寸。IC尺寸的缩小导致器件更容易受到ESD电压的损害。

过去,设计人员只要选择符合IEC61000-4-2规范的一个保护产品就足够了。因此,大多数保护产品的数据表只包括符合评级要求。由于集成电路变得越来越敏感,较新的设计都有保护元件来满足标准评级,但ESD冲击仍会形成过高的电压,有可能损坏IC。因此,设计人员必须选择一个或几个保护产品,不仅要符合ESD脉冲要求,而且也可以将ESD冲击钳位到足够低的电压,以确保IC得到保护。


图1:美国静电放电协会(ESDA)的ESD保护要求

先进技术实现强大ESD保护

安森美半导体的ESD钳位性能备受业界推崇,钳位性能可从几种方法观察和量化。使用几个标准工具即可测量独立ESD保护器件或集成器件的ESD钳位能力,包括ESD保护功能。第一个工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脉冲响应截图,显示的是随时间推移的钳位电压响应,可以看出ESD事件中下游器件的情形。


图2:ESD钳钳位截图


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00除了ESD钳位屏幕截图,另一种方法是测量传输线路脉冲(TLP)来评估ESD钳位性能。由于ESD事件是一个很短的瞬态脉冲,TLP可以测量电流与电压(I-V)数据,其中每个数据点都是从短方脉冲获得的。TLP I-V曲线和参数可以用来比较不同TVS器件的属性,也可用于预测电路的ESD钳位性能。


图3:典型TLP I-V曲线图

安森美半导体提供的高速接口ESD保护保护器件阵容有两种类型。第一类最容易实现,被称为传统设计保护。在这种类型设计中,信号线在器件下运行。这些器件通常是电容最低的产品。

另一类是采用PicoGuard® XS技术的产品。这种类型设计使用阻抗匹配(Impedance Matched)电路,可保证100 Ω的阻抗,相当于电容为零。这类设计无需并联电感,有助于最大限度地减少封装引起的ESD电压尖峰。


图4:传统方法与PicoGuard® XS设计方法的对比

安森美半导体的保护和滤波解决方案均基于传统硅芯片工艺技术。相比之下,其它类型的低成本无源解决方案使用的是陶瓷、铁氧体和多层压敏电阻(MLV)组合的材料。这类器件通常ESD钳位性能较差。在某些情况下,传递给下游器件的能量可能比安森美半导体解决方案低一个量级。一些采用旧有技术的产品甚至可能在小量ESD冲击后出现劣化并变得更糟。由于其材料性质,一些无源器件往往表现出温度的不一致性,从而降低了终端系统在标准消费温度和环境温度范围内运行的可靠性。

必须兼顾其它特性

ESD和EMI解决方案可防止不要的信号干扰系统的整体性能。在系统正常运行期间,保护器件还必须保持给定接口良好的信号完整性,换言之它应该是完全“透明”的。安森美半导体的器件适用于运行和保护当今最常用的消费类电子系统接口。通常,使用S参数插入损耗曲线即可测量信号完整性的影响,滤波器解决方案还可以测量滤波器的响应情况,也可以用眼图测量信号完整性(尤其是高速器件),以证明在无干扰正常运行期间器件可实现的最大数据传输速率。

安森美半导体有两个基本类型的EMI滤波器。第一类是用于并行接口的各种阵列配置的单端低通滤波器;分为传统和通用电阻-电容(RC)版本,以及适用于高速度和功耗敏感接口的电感-电容(LC)版本。


图5:单端低通滤波器特性


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00根据规格,每个元件都有一个通带范围。这些器件的可截止高频范围从700 MHz至6 GHz。

第二类EMI滤波器适用于高速串行接口,功能超过了典型低通滤波器。这类接口是具有固有噪声抑制的差分信号路径,但不会完全免疫来自外部源的共模噪声,或阻止来自辐射到系统其他部分的接口信号。


图6:共模滤波器(CMF)特性

受保护的共模滤波器(pCMF)可以用来消除不必要的共模噪声,也可以防止辐射的有害共模噪声信号从高速接口进入系统的其它部分。同时,它还可以使高速数据通道几乎不受干扰。

除了ESD冲击保护,安森美半导体还提供防止由雷击或功率交叉(power-cross)故障造成浪涌冲击的解决方案。各种消费电子和电信/网络设备中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太网协议的RJ45接口,其浪涌额定值往往是室内标准。这些接口由四对差分数据线组成,每根线可传输最高250 Mbps的数据速率。这类接口的保护需要确保横向(金属性)浪涌冲击不致损坏敏感的下游芯片(如物理层)。这是通过线至线(每对线)连接分流保护元件(shunt protection element)来转移进入的浪涌能量实现的。

对于较低数据速率(10/100BASE-T)的应用,安森美半导体提供了一种称为TSPD(晶闸管浪涌保护器件)的消弧(crowbar)器件组合,以及用于类似ESD保护的钳位器件。TSPD可提供低钳位电压的优势,并具有较高的浪涌电流能力。例如,这些器件可以满足GR-1089 10/1000 μs标准的要求,因此适合初级端或次级端的保护,也被称为“线端”保护。TVS(瞬态抑制二极管)钳位器件支持8/20 μs脉冲的浪涌级别,通常用于第三级(tertiary)或PHY侧以捕获并安全地消除任何残余浪涌脉冲。

典型电路保护应用示例

智能手机应用是一种比较典型的保护应用,安森美半导体的解决方案包括数据滤波器、ESD保护二极管及阵列和电压保护器件等。消费和便携式应用的USB2.0保护包括高速对、VCC和低电容ESD保护;而USB 3.0则有两个超高速对和一个高速对,以及VCC、低电容ESD保护。eSATA接口有两个高速对和低电容ESD保护。


图7:智能手机框图及需要保护的I/O接口(见右下侧浅蓝色背景区域)

针对4至12线的摄像头和显示器的并行接口,安森美半导体有低通LC滤波器+ ESD保护器件,以及3至5个高速串行通道的共模滤波器+ ESD保护。对于便携式HDMI、消费类HDMI/显示端口,可以采用四个高速对、多达6个额外接口线、低电容ESD+共模滤波器方案。

此外,安森美半导体的保护应用还包括音频(音箱/耳机)、SD接口、SIM卡、键盘EMI抑制、以太网,以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等,可以满足消费类电子产品对强大ESD保护及减少EMI/RFI噪声的更高要求。

LED照明系统的过压过流防护方案详解

LED照明系统如何解决过压与过流保护

随着LED照明灯具的逐步发展,在亮化工程辅助照明等公共场合,LED照明灯具渐渐替代了一些传统光源产品。在使用时间较长的商业应用场所,LED灯具迅速成为市场的新宠,LED行业在近些年得到了较快发展。全球LED各应用领域中,通用照明和汽车照明领域为增速最快的市场,成为推动未来LED市场规模快速增长重要驱动因素。

1.智能照明:

随着LED照明产品价格持续下降,LED照明市场迅速增长。技术的进步,也使得LED照明技术从最初的简单照明向智能照明发展。智能照明不仅可以实现照明系统的智能控制,同时也成为互联网的一个入口,从而衍生更多高附加值的服务,例如健康管理、地图定位、商品导购与广告等。从传统照明进入智能照明,市场需求无疑是推动这一举动的强大动力。不可否认,智能照明发展是大势所趋。

2.汽车照明:

我国汽车产销量超过2000万辆,已连续五年蝉联全球第一,庞大的汽车市场带动着相关汽车配件行业蓬勃发展,其中LED汽车照明市场的增长更为快速,增长幅度远超汽车相关产业的平均增速。截至2015年底,汽车照明需要完成二氧化碳的减排目标。作为公认的低碳环保照明的典型代表,LED有望纳入汽车照明升级改造的范围,由此意味着百亿、甚至于千亿级的市场需求。

但由于LED使用环境的复杂性,人们在实际使用中LED往往容易坏,其实就是因为没有考虑到LED的使用特性以及应有的保护。尤其是当LED是用在户外时,其驱动电路及灯珠非常容易遭受到过电压和过电流的冲击而造成故障或损坏,引发不必要的财产损失甚至是人员伤亡,因此在设计LED照明电路时必须要充分考虑并做好保护措施,从而提高电路的可靠性,降低故障发生率。瞬雷电子一直致力于这方面的研发,从产品研发到系统设计,无不倾心尽力。下面就LED 照明系统过压过流干扰的故障现象、产生原因、解决办法予以简单论述。

一、LED的过压过流故障现象

当出现过压过流干扰时,元件性能会减弱或损坏。LED 元件的过压过流损坏与干扰能量的发生次数或持续时间长短无关,因为任何一次过压过流干扰都可能导致LED 损坏。这种损坏可以表现为器件立即失效,也可能在发生过压过流干扰后许久才失效。LED 芯片的小型化和LED灯具内部电器结构的复杂化正在使这一问题变得更加严重。灯具内LED 芯片的过压过流故障主要有以下两种现象:

a、芯片内部焊接线损坏

过压过流干扰导致的第一种失效模式是LED 封装内部的焊接线受损。这种损坏通常表现为接线烧断。此外,过压过流干扰还能导致靠近焊接线的其他材料(例如密封材料或荧光体)损坏。

b、 芯片焊盘位置损坏

过压过流干扰 导致的另一种失效模式是LED 芯片本体靠近焊盘的位置受损。

二、LED 发生过压过流干扰的主要原因

LED 芯片发生过压过流干扰的原因有多种,如浪涌、静电,来自其他设备的脉冲信号干扰、灯具组装时不恰当的工作方法、接地点不够导致电流快速转换引起高电压等情况都会引起过压过流干扰。但以下两种情况是LED 灯具生产与使用过程中造成过压过流干扰的主要原因。

a、静电放电ESD

静电放电是大多数电子元件在生产、运输、加工过程中不可避免的风险。虽然目前大多数的LED 芯片自身已经具有防静电干扰的设计一般为2kV,但静电放电依旧是LED 芯片在灯具生产环节损坏的主要原因。

b、 短时间的过负荷

短时间的过负荷即短时间内LED 的输入电压或电流超过其额定值如浪涌电压或雷击。过负荷一般只持续极短的时间通常不会超过500ms类似的电压或电流称为尖峰电压或尖峰电流。短时间的过负荷是LED 芯片在灯具正常使用过程中损坏的主要原因。

三、LED过压过流干扰的防护方法:

1 防止静电放电损坏LED 的方法

静电放电是LED 芯片的隐形杀手。LED 灯具生产过程中每个阶段的每个步骤都可能使LED 受到静电的损伤。静电防护就是消除静电或把静电电压控制在允许的范围内使它不致产生危害。生产过程中静电防护的主要措施为:

a 保证车间生产人员及生产设备的静电防护。(屏蔽与接地)

b 尽可能的使生产车间和周围环境达到防静电要求。(中和、增湿、屏蔽与接地)

c 采用静电保护器(ESD)对各接口芯线对地做静电防护。(静电泄露、耗散)

依照上述防静电措施进行操作,将静电防护工作当作一项长期的系统工程,防止任何环节的失误或疏漏,加上LED 芯片有一定的防静电干扰功能,则在生产过程中可以有效地防止静电放电对LED 的损伤。

2 防止LED 芯片短时间过负荷的方法

防护瞬间过电压或过电流等LED 短时间过负荷现象常用的器件有瞬态抑制二极管TVS,热敏电阻MOV,浪涌静电硅抑制器SET等。目前LED 灯具防过负荷设计方案分为两种:第一种为保险丝、压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS组合形成的电源输入端保护电路,一般用在LED 灯具电控系统的输入端口防止在正常运行时由于电源瞬间浪涌干扰原因造成的LED 故障。第二种为瞬态抑制二极管TVS、负温度系数热敏电阻器(NTC)过负荷保护电路,一般串联在LED 芯片组成的照明电路中,防止LED 灯具通电开启瞬间造成的LED损伤。以下对这两种方法分别予以讨论。

2.1 防止电源瞬间浪涌干扰造成LED 损伤的的保护方案

2.1 防止电源瞬间浪涌干扰造成LED 损伤的的保护方案

方案中主要用到压敏电阻MOV及瞬态抑制二极管TVS做过压防护,压敏电阻是一种具有电压电流对称特性的电压属性电阻器,它主要用来保护电子元件免受尖峰电压或尖峰电流的影响。压敏电阻在常态时对受保护的电子元件具有很高的阻抗,而且不会改变电路特性,但当瞬间尖峰电压出现越过压敏电阻的击穿电压时,该压敏电阻的阻抗会变低(仅有几欧姆),并造成原线路短路,从而对电子产品或元件进行保护。将压敏电阻接入LED 灯具电源输入端,可防止在正常运行时由于电源瞬间浪涌干扰造成的LED 故障,防护方案如图1所示。正常运行时一旦电网电压升高,压敏电阻会瞬间击穿短路,对过压能量进行吸收和泄放,从而有效的防止过电压进入受保护线路。方案中用到2个保险丝Fuse 1和Fuse 2,其中Fuse 1在压敏电阻的前端,用来防止压敏电阻失效而短路,但也要通过雷击大电流。因此,通常选用慢融性保险丝,其不承担过载短路的作用;而Fuse 2是用来防止过载,选用快熔性保险丝,不承担浪涌电流,可以根据负载额定电流选择合适的保险丝。后端为瞬态抑制二极管TVS是对前级压敏电阻的残余能量进行进一步的吸收和泄放。更好的保护后端负载。

2.2 防止通电瞬间损伤LED 的保护方案

防止通电瞬间损伤LED 的保护方案

 在LED 灯具刚刚通电时会产生一种常见的瞬间过电流现象,这种现象被称为浪涌电流。可以采用在灯具内部电路使用NTC 电阻器的方法实现LED 灯具的浪涌电流保护(如图2)。具体而言,就是在灯具刚刚通电时NTC 器件提供一个高电阻值来保护LED免受浪涌电流的损坏,在过渡时间之后NTC 电阻器的电阻会降低到可忽略不计的数值。方案中的瞬态抑制二极管TVS对瞬间的浪涌能量提供一条通路,保护后端LED灯珠不受影响。

2.3防止LED 灯珠开路(电源极性反接保护)的保护方案

防止LED 灯珠开路(电源极性反接保护)的保护方案

当LED输入端有高压脉冲时会导致后端芯片及LED灯损坏,而瞬态抑制二极管TVS可以对高压脉冲进行吸收和箝 端电路可承受的范围内,从而消除了由输入端带来的干扰。O.C.P为半导体过压型保护器件,当灯珠两端有静电和过电压时可瞬间吸收和箝位,把电压降低,并且当LED开路损坏时,电流无法流过损坏的LED灯珠,此时电源的电压全部加在O.C.P上,很快O.C.P两端的电压就达到了它的开关电压,O.C.P开始工作,随后将电压降低到1V左右,电流从O.C.P流过也经过了其它的LED灯珠,其它的灯珠又亮了起来。当LED灯串被反向通上电源时,所有保护器O.C.P都会开始导通,将这些被保护的LED上的电流分流以保护它们不受伤害。在反向电极纠正之后,保护器会关闭,LED正常工作。

随着社会的发展和大家对节能环保的意识不断提高,LED灯具的市场前景将是一片光辉,不断进步的LED照明市场需要性能良好的硬件设备(灯具),正确的硬件设计是产品成功的关键。前期在硬件设备设计时充分考虑各种干扰因素的影响会使灯具质量得到很大的保证,对硬件设备进行适当的过压过流冲击防护设计能够大幅度地提高它的的使用寿命,减小维修成本,更好的满足人们的需求。