一、发光二极管的特性
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示，
图1、二极管的伏安特性曲线
1、正向特性
当加在发光二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2、反向特性
发光二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3、击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
4、频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致发光二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
二、发光二极管的简易测试方法
发光二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表一
表一
二极管简易测试方法
项目
正向电阻
反向电阻
测试方法
测试情况
硅管：表针指示位置在中间或中间偏右一点；锗管：表针指示在右端靠近满刻度的地方（如图所示）表明管子正向特性是好的。
如果表针在左端不动，则管子内部已经断路
硅管：表针在左端基本不动，极靠近OO位置，锗管：表针从左端起动一点，但不应超过满刻度的1/4（如上图所示），则表明反向特性是好的，
如果表针指在0位，则管子内部已短路
三、发光二极管的主要参数
1、正向电流IF
在额定功率下，允许通过发光二极管的电流值。
2、正向电压降VF
发光二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
3、最大整流电流（平均值）IOM
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
4、反向击穿电压VB
发光二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
5、正向反向峰值电压VRM
发光二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
6、反向电流IR
在规定的反向电压条件下流过发光二极管的反向电流值
7、结电容C
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
8、最高工作频率fm
发光二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
四、常用发光二极管
1、整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图2）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
（a)全密封金属结构
（b）塑料封装
图2 二极管封装
2、检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
3、开关二极管
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装
4、稳压二极
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4
图4、稳压二极管的图形符号
稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
图5、硅稳压管伏安特性曲线
5、变容二极管
变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。
变容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如图6所示，几种常用变容二极管的型号参数见表一
图6、变容二极管图形符号
表一
常用变容二极管
型号
产地
反向电压（V）
电容量（pF
电容比
使用波段
最小值
最大值
最小值
最大值
2CB11
中国
3
25
2.5
12
UHF
2CB14
中国
3
30
3
18
6
VHF
BB125
欧洲
2
28
2
12
6
UHF
BB139
欧洲
1
28
5
45
9
VHF
MA325
日本
3
25
2
10.3
5
UHF
ISV50
日本
3
25
4.9
28
5.7
VHF
ISV97
日本
3
25
2.4
18
7.5
VHF
ISV59.OSV70/IS2208
日本
3
25
2
11
5.5
UHF
图7(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率（电视接收机调谐器中作本机振荡）。图7(b）是一个调谐信号源，用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿振荡器，利用输出信号进行调频，由于变容管大多数在反偏压下工作，所以应加恒流保护，以防止击穿。
图7、变容二极管的容压特性及等效电路
图8(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率（电视接收机调谐器中作本机振荡），图8(b)是一个调谐信号源，用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿波振荡器，利用输出信号进行调频，由于变容管大多数在反偏压下工作，所以应加恒流保护，以防止击穿。
图8、变容管应用实例
6、阶跃恢复二极管
阶跃恢复二极管是一种特殊的变容管，也称作电荷储存二极管，简称阶跃管，它具有高度非线性的电抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。
阶跃管的特性是建立在PN结杂质的特殊分布上，和变容管相似，阶跃管的符号如图9所示，它的直流伏安特性与一般PN结构相同。
图9、阶跃恢复二极管的图形符号
阶段管的特点是：当处于导通状态的二极管突然加上反向电压时，瞬间反向电流立即达到最值IR，并维持一定的时间ts，接差又立即恢复到零，电流和时间的关系见图10所示
图10、阶跃管电流与时间的关系
阶跃管主要用于倍频电路和超高速脉冲整形和发生电路，图11(a)是一个曲型的高次频器，利用阶跃管，很容易做到高达20次倍频而仍保持高效率。图11（b）是利用阶跃管的脉冲整形电路，图11(c）是整形前后的波形比较。
图11、阶跃恢复二极管的典型应用
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请教磁珠的参数？
哪位知道磁珠的参数都有哪些？选择磁珠需要根据什么条件选择？购买磁珠需要提供哪些参数呢？另外用磁珠对芯片电源滤波需要磁珠两端都接电容吗？
磁珠主要参数有:
标称值:因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆 .一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的阻抗为600欧姆。
磁珠的单位是欧姆，而不是亨特，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHZ为标准，比如1000R@100MHZ，意思就是在100MHZ频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。
贴片电阻的主要特性参数
1,标称阻值:电阻器上面所标示的阻值.
2,允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度.允许误差与精度等级对应 关系如下:± 0.5%-0.05,± 1%-0.1(或 00),± 2%-0.2(或 0),± 5%-Ⅰ级,± 10%-Ⅱ级,± 20%-Ⅲ级
3,额定功率:在正常的大气压力 90-106.6KPa 及环境温度为-55℃～+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率. 线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20,1/8,1/4,1/2,1,2,4,8,10,16,25,40,50,75,100,150,250,500 非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20,1/8,1/4,1/2,1,2,5,10,25,50,100
4,额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压.
5,最高工作电压:允许的最大连续工作电压.在低气压工作时,最高工作电压较低.
6,温度系数:温度每变化 1℃所引起的电阻值的相对变化.温度系数越小,电阻的稳定性越好.阻值随温度升高而增大的为正温 度系数,反之为负温度系数.
7,老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数.
8,电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化 1 伏,电阻器的相对变化量.
9,噪声:产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运 动,使导体任意两点的电压不规则变化.
贴片电容器主要特性参数:
1,标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在贴片电容器上的电容量.贴片电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度.精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%,0(02)-±2%,Ⅰ-±5%,Ⅱ-±10%,Ⅲ-±20%,Ⅳ-(+20%-10%),Ⅴ-(+50%-20%),Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ,Ⅴ,Ⅵ级,根据用途选取.
2,额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在贴片电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在贴片电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏.
3,绝缘电阻
直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好.电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积.
4,损耗
贴片电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗.各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的.在直流电场的作用下,贴片电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,贴片电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关.
5,频率特性
随着频率的上升,一般贴片电容器的电容量呈现下降的规律.
半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容、Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容、 Cjv---偏压结电容、 Co---零偏压电容、 Cjo---零偏压结电容、 Cjo/Cjn---结电容变化、 Cs---管壳电容或封装电容 、 Ct---总电容、 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比、 CTC---电容温度系数 、 Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 、 IF(AV)---正向平均电流、 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压
VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.
IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流
f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压
双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容(外电路参数) Co---输出电容 Cob---共基极输出电容.在基极电路中,集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容(外电路参数) Cp---并联电容(外电路参数) BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路,CE 结击穿电压 BVebo--- 集电极开路 EB 结击穿电压 BVces---基极与发射极短路 CE 结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE 结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率.当三极管功率增益等于 1 时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压 VEB 条件下,发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻 R,集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压 VCE 下,集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值. IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻) rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地,在规定 VCE,Ic 或 IE,频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻(外电路参数) RB---外接基极电阻(外电路参数) Rc ---外接集电极电阻(外电路参数) RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极(直流)电压 VCE---集电极-发射极(直流)电压 VBE---基极发射极(直流)电压 VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻 R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压. VSB---二次击穿电压 VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数) Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数) VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数) VCE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降) VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流. IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压
场效应管参数符号意义
Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时,漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时,截止栅电流 IGSO---漏极开路时,截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感(外电路参数) LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻 η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数
自恢复保险丝的主要参数有哪些呢？
哪些参数具有决定性的选项因素？
- IH：最大工作电流（25℃）
- IT：最小动作电流（25℃）
- Itrip：过载电流
- Tmax：过载电流最大动作时间
- Vmax：最大过载电压
- Imax：最大过载电流
- Rmin：最小电阻（25℃）
- Rmax：最大电阻（25℃）
普通发光二极管的正向饱和压降为1.6V-2.1V, 正向工作电流为5-20mA。
一、LED极限参数的意义
- 允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
- 最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
- 最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
- 工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
二、LED电参数的意义
- 正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
- 正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。
- V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系。在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
一、 额定电流：
又称保险丝的公称工作电流，代号是In，保险丝的额定电流是由制造部门在实验室的条件下所确定的。额定电流值通常有100mA、200mA、315mA、400mA、500mA，630mA、800mA、1A、1.6A、2A、2.5A、3.15A、4A、5A、6.3A等，但本公司一般以客户之需求和实际的用途来提供各种保险丝之额定电流值。
二、 额定电压：
保险丝的公称工作电压，代号是Un，一般保险丝的标准电压额定值为32V、60V、125V、250V、300V、500V、600V。保险丝可以在不大于其额定电压的电压下使用，但一般不被同意使用在电路电压大于保险丝额定电压的电路中。
三、电压降：
对保险丝在通额定电流，当保险丝达到热平衡即温度稳定下来时所测得的其两端的电压，代号是Ud。由于保险丝两端电压降对电路会有一定的影响，因此在欧规里有对电压降的明确规定。
四、保险丝电阻：
通常分为冷态电阻和热态电阻，冷态电阻是保险丝25℃的条件下，通过小于额定电流的10%的测试电流所测得的电阻值。热态电阻则是以全额额定电流值为测试电流所测得的电压降转化过来的，其计算公式为R热=Ud/In。通常热电阻比冷电阻要大，我司所提供的保险丝电阻值即为冷电阻值，并仅作为参考。
五、过载电流：
过载电流是指在电路中流过有高于正常工作时的电流。如果不能及时切断过载电流，则有可能会对电路中其它设备带来破坏。短路电流则是指电路中局部或全部短路而产生的电流，短路电流通常很大，且比过载电流要大。
六、熔断特性：
即时间/电流特性(也称为安-秒特性)。通常有两种表达方法，即I-T图和测试报告。I-T图是以负载电流为x坐标、熔断时间为y坐标构成的坐标系内，由保险丝在不同电流负载下的平均熔断时间坐标点连成的曲线。每一种型号规格的保险丝都有一条相应的曲线可代表它的熔断特性。这条曲线可在选用保险丝时参考。测试报告是按照标准要求的测试项目所做的测试之测试数据记录。我们的I-T图和测试报告都是根据在实验的条件下所测得之数据而得出，在实际使用的条件下其曲线图或测试报告会有差别，因此我司提供之测试报告与I-T图仅作为参考。
七、分断能力：
又称额定短路容量，即在额定电压下，保险丝能够安全分断的最大电流值(交流电为有效值)。它是保险丝重要的安全指针。分断能力的代号是Ir。
八、熔化热能值：
即保险丝熔化所需的能量值，其代号是I t，读作A2Sec。它是使保险丝在8ms或更短的时间内断开时其对应的电流之平方与熔断时间之乘积，限制时间在8ms以内是使熔丝产生的热量全部用来熔断而来不及散热。它对于每一种不同的熔丝部件来说是个常数，它是熔丝本身的一个参数，由熔丝的设计所决定。
九、 温升：
温升是指保险丝在通规定的电流值(UL中规定为100%In，日规中规定为115%In)的条件下使温度达到稳定时的温度值与通电前之温度的差值。
标称金属化电容量和允许偏差
标称金属化电容量是标志在金属化电容上的金属化电容量。
金属化电容的基本单位是法拉，简称法(F)，但是，这个单位太大，在实地标注中很少采用。
其它单位关系如下：
1F=1000mF
1mF=1000μF
1μF=1000nF
1nF=1000pF
金属化电容实际金属化电容量与标称金属化电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系：
00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般金属化电容常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解金属化电容用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。
各种金属化电容介绍 额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在金属化电容的最高直流电压有效值，一般直接标注在金属化电容外壳上，如果工作电压超过金属化电容的耐压，金属化电容击穿，造成不可修复的永久损坏。
绝缘电阻
直流电压加在金属化电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.
像陶瓷金属化电容、薄膜金属化电容的话，绝缘电阻是越大越好的，而铝电解金属化电容之类的绝缘电阻是越小越好。
金属化电容的时间常数：为恰当的评价大容量金属化电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于金属化电容的绝缘电阻与容量的乘积。
损耗
金属化电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类金属化电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，金属化电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和金属化电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下，金属化电容的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，金属化电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
频率特性
随着频率的上升，一般金属化电容的金属化电容量呈现下降的规律。。 金属化电容 温度系数 在一定温度范围内，温度每变化1℃，金属化电容量的相对变化值。温度系数越小越好。 常用公式 平行板金属化电容公式中C=εS/4πkd