Vishay_品慧电子

一、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻特点

1.1 尺寸型号0406的薄膜宽端子的贴片电阻

1.2 小尺寸容器的高功耗：P70最多300mW

1.3 杰出的高温循环稳定性

1.4 工作温度提升至175℃

1.5 很高的长期稳定性

1.6 符合AEC-Q200规范

1.7 符合RoHS 2011/65/EU指令

Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻系列

二、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻应用场合

2.1 适合高功率与高温条件下的应用

2.2 汽车及工业上的应用

三、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻最终产品

3.1 汽车电子：控制单元，制动及照明系统

3.2 工业电子：能源管理，电源设备，测量仪器仪表

3.3 通信：基站设备

3.4 消费电子：高端音频设备，录音设备

3.5 高端电脑

四、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻产品描述

4.1 MCW 0406 AT 宽端子的高精度和专业系列电阻为大多数领域的现代专业功率测量电子设备的设计上所关注的稳定，功耗，可靠性等因素提供的最佳选择。与极高的功率相比，MCW 0406 AT的特点是在于杰出的温度循环的稳定性，可以通过大量的测试。

4.2 许可的额定功率指定为250mW(高精度)或者300mW(专业的)。典型的应用是汽车与工业上的电子设备。

五、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻技术规格

贴片钽电容厂家_进口钽电容生产厂家

贴片钽电容厂家，目前做得好的并为大家熟知的就那几家，主要有：

AVX，基美，Vishay，NEC，三星等。

本公司主要代理AVX钽电容，同时也分销其它品牌的贴片钽电容，为华南地区最大的代理商之一，备有大量的现货，满足你快速研发生产的需求！

Vishay钽电容常用的型号

VISHAY钽电容-VISHAY-钽电容。VISHAY钽电容系列

293D105X9050C2T
293D107X9010D2T
293D107X9016D2T
293D107X9016E2T
293D107X9006B2T
293D107X9006D2T
293D106X9010A2T
293D106X9010B2T
293D106X9010C2T
293D106X9016B2T
293D106X9016C2T
293D106X9020C2T
293D106X9020D2T
293D106X9025C2T
293D106X9035C2T
293D106X9035D2T
293D157X9010E2T
293D104X9035A2T
293D224X9035A2T
293D474X9035B2T
293D108X9004E2T
293D107X9010C2T
293D225X9025B2T
293D227X9004C2T
293D227X9006D2T
293D226X9010B2T
293D226X9016C2T
293D226X9025D2T
293D156X9016C2T
293D156X9025D2T
293D105X9010A2T
593D106X0050E2TE3
593D106X0050D2TE3
593D685X0050E2TE3
593D685X0050D2TE3
593D475X0050D2TE3
593D335X0050D2TE3
593D335X0050C2TE3
593D225X0050D2TE3
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593D684X0050C2TE3
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593D474X0050C2TE3
593D474X0050B2TE3
593D474X0050A2TE3
593D334X0050B2TE3
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593D224X0050B2TE3
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593D226X0035E2TE3
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593D156X0035E2TE3
593D156X0035D2TE3
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593D475X0035D2TE3
593D475X0035C2TE3
593D335X0035C2TE3
593D335X0035B2TE3
593D225X0035C2TE3
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593D155X0035C2TE3
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593D105X0035B2TE3
593D105X0035A2TE3
593D684X0035B2TE3
593D684X0035A2TE3
593D474X0035B2TE3
593D474X0035A2TE3
593D334X0035A2TE3
593D224X0035A2TE3
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593D335X0025C2TE3
593D335X0025B2TE3
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593D105X0025B2TE3
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593D107X0020E2TE3
593D476X0020E2TE3
593D476X0020D2TE3
593D336X0020D2TE3
593D336X0020C2TE3
593D226X0020D2TE3
593D226X0020C2TE3
593D106X0020C2TE3
593D106X0020B2TE3
593D685X0020C2TE3
593D685X0020B2TE3
593D475X0020C2TE3
593D475X0020B2TE3
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593D335X0020B2TE3
593D335X0020A2TE3
593D225X0020B2TE3
593D225X0020A2TE3
593D155X0020A2TE3
593D105X0020A2TE3
593D684X0020A2TE3
593D107X0016E2TE3
593D107X0016D2TE3
593D686X0016D2TE3
593D476X0016D2TE3
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593D336X0016C2TE3
593D336X0016B2TE3
593D226X0016D2TE3
593D226X0016C2TE3
593D226X0016B2TE3
593D156X0016C2TE3
593D106X0016B2TE3
593D106X0016C2TE3
593D106X0016A2TE3
593D225X0016B2TE3
593D335X0016A2TE3
593D335X0016B2TE3
593D475X0016A2TE3
593D475X0016B2TE3
593D225X0016A2TE3
593D155X0016A2TE3
593D105X0016P2TE3
593D105X0016A2TE3
593D337X0010E2TE3
593D227X0010E2TE3
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593D157X0010E2TE3
593D107X0010D2TE3
593D107X0010C2TE3
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593D476X0010C2TE3

威世全方位元器件解决方案助力新能源逆变器设计

新闻事件：威世技术专家组将在2011西部电子论坛举办专场技术讲座

事件影响：全方位元器件解决方案助力新能源逆变器设计

在光伏逆变器和风电变流器中，威世DC-link薄膜电容可用作稳压滤波，预期寿命大于15年，具有更低的损耗，更好的稳定性。用4～6薄膜电容MKP1848/9就能替换掉采用60～80个电解电容器的老式设计。101/102 PHR-ST是采用非固态电解液的极化铝电解电容器，非常适合高功率开关转换器中的直流母线电容器和脉冲电源应用中的能量储存。除新能源领域外，上述的薄膜电容和铝电解电容还可用于军工和列车牵引机。

MOSFET或IGBT作为逆变器/变流器控制开关，如果由光隔离驱动器驱动，可以将大电流隔离，还可以保护控制单元免受高压大电流的冲击，避免大功率部分的快速电压瞬变干扰。威世VO3120是光隔离IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV/us。此外，VO3120还适合用于电机控制、焊接设备、电磁炉以及等离子显示器。

逆变器电力转换部分可以使用分立MOSFET和PWM控制器设计，也可以使用集成PWM控制器和MOSFET的电源管理模块，威世推出的电源管理芯片DrMOS比起分立设计，集成的电源管理芯片可实现更高的功率密度和更高的开关频率，大大简化芯片的周边电路，显著缩短设计周期以及成本。

威世FRED PT超快恢复二极管可提升PFC的效率，最终提升整个逆变器的效率。该二极管的特点是反向恢复时间很快，比普通二极管快很多，提升效率效果接近SiC二极管，但是相比SiC二极管便宜很多。并且，FRED PT超快恢复二极管工作温度最高可达175℃，可以为系统设计带来裕量。

太阳能发电系统中电池板的部分电池组可能会受到阴影遮蔽。如果将每个电池组并联一个旁路二极管，该二极管构成受遮蔽电池组的旁路，保证系统电流的流通，并且保护电池组免受反向电压的损害。威世45V TMBS肖特基二极管具有较低的正向导通压降，可作为旁路二极管应用于太阳能接线盒。

新能源领域是威世看好的应用领域之一。威世注重研发创新，推出不到5年的产品占目前销售额的比例为26%，在未来的数年内，这个比例将继续增加。威世技术专家组将在中国（西部）电子展和电子元件技术网联手举办的2011西部电子论坛中举办专场技术讲座，详细介绍上述新技术及其应用。

威世专场技术讲座时间：2011年8月23日-在成都明悦大酒店召开，2011年8月25日-西安曲江国际会展中心，

Vishay展示业内领先的电容器、电阻和功率MOSFET器件

新闻事件：Vishay在PCIM Asia 2011上展示最新电容器、电阻和功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在6月21-23日于上海国际会议中心举行的PCIM（功率转换，智能运动）Asia 2011期间，在A15和A16展位展示该公司最新的业界领先的电容器、电阻和功率MOSFET。

PCIM Asia是功率电子、智能运动和电能质量领域的国际性展览和研讨会。在会议期间，Vishay将演示数款用于风力机和太阳能逆变器等“绿色”能源应用的电容器。在Vishay展位上展示的器件包括牛角式和螺栓式功率铝电解电容器、低压金属化薄膜电容器，以及用于功率电子和功率校正控制器的DC-link和交流滤波电容器。

除用于功率转换的具有高功率耗散和宽阻值范围的厚膜功率电阻外，以及针对汽车应用的高工作温度及高额定电流的高电流热熔断器，Vishay还将展示其Draloric/Beyschlag薄膜刹车电阻。

在用于功率转换的功率MOSFET方面，Vishay重点展示的产品包括业界最小的芯片级MOSFET、节省空间的PowerPAIR®器件、具有业内最低导通电阻的下一代40V～100V功率MOSFET，以及用于高电流功率因数校正和AC/DC应用的高压超级节器件。

Vishay扩展VLMW41XX系列，确保LED应用的颜色均匀性

新闻事件：

Vishay扩大VLMW41XX系列冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项事件影响：

用户可订购4种相近的颜色分组，确保LED应用的颜色均匀性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为满足在各种照明应用中对颜色均匀性的要求，Vishay扩大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封装、基于蓝宝石的冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项。器件现可提供14种不同的色域，根据CIE1931进行非常窄的色度坐标分组。另外，Vishay的客户可以订购由4中相近色域组成的LED。

设计工程师在用白光LED做设计时需要非常一致的色温，要求每个LED的颜色和亮度几乎完全一致。通过提供给客户更多的窄色域，让用户订购4种相近的颜色分组，Vishay的VLMW41XX系列使设计者可以消除应用中颜色的差异，包括汽车仪表板和开关的背光，电信系统、音频和视频设备、白色家电和办公设备中的指示灯和背光，LCD、开关和通用标识的平板背光。

器件采用高效的InGaN技术制造，具有±60°的半强角和180mcd～450mcd的极高亮度，典型色温为5500K，冷白色。VLMW41xx器件通过了AEC-Q101认证，可用于汽车。器件的潮湿敏感度等级为2a，能够在通常的条件下存放4周，超出一般PLCC-2的等级，制造商不用为此担心。

该系列的封装是EIA和ICE标准的PLCC-2，该封装由嵌入在一个白色热塑塑料中的引线框构成。封装里的反射镜填充了环氧树脂和TAG荧光粉的混合物。TAG荧光粉把蓝色发光部分转换成黄光，与剩余的蓝光混合形成白光。LED的ESD电压高达2kV，符合JESD22-A114-B，无铅并符合RoHS。

VLMW41XX高亮度SMD LED采用8mm卷带包装，现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为六周到八周。

Vishay 技术专场华丽登陆成都和西安！

新闻事件：威世技术专家组登陆2011西部电子论坛举办专场技术讲座

事件影响：全方位元器件解决方案助力新能源逆变器设计

受环保意识高涨和日本核泄漏的影响，太阳能发电和风力发电越发成为新能源利用的核心。太阳能发电风电实现并网的核心组件是光伏逆变器和风电变流器。效率和可靠性是逆变器、变流器设计的关键，而新型功率器件和被动元件的使用可以有效降低逆变器/变流器损耗，提高效率和可靠性。针对这一需求，国际知名分立器件和被动元件供应商威世公司（Vishay）推出包括电容、电源管理、二极管与功率模块、光耦等全方位的元器件解决方案。

在光伏逆变器和风电变流器中，威世DC-link薄膜电容可用作稳压滤波，预期寿命大于15年，具有更低的损耗，更好的稳定性。用4～6薄膜电容MKP1848/9就能替换掉采用60～80个电解电容器的老式设计。101/102 PHR-ST是采用非固态电解液的极化铝电解电容器，非常适合高功率开关转换器中的直流母线电容器和脉冲电源应用中的能量储存。除新能源领域外，上述的薄膜电容和铝电解电容还可用于军工和列车牵引机。

MOSFET或IGBT作为逆变器/变流器控制开关，如果由光隔离驱动器驱动，可以将大电流隔离，还可以保护控制单元免受高压大电流的冲击，避免大功率部分的快速电压瞬变干扰。威世VO3120是光隔离IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV/us。此外，VO3120还适合用于电机控制、焊接设备、电磁炉以及等离子显示器。

逆变器电力转换部分可以使用分立MOSFET和PWM控制器设计，也可以使用集成PWM控制器和MOSFET的电源管理模块，威世推出的电源管理芯片DrMOS比起分立设计，集成的电源管理芯片可实现更高的功率密度和更高的开关频率，大大简化芯片的周边电路，显著缩短设计周期以及成本。

威世FRED PT超快恢复二极管可提升PFC的效率，最终提升整个逆变器的效率。该二极管的特点是反向恢复时间很快，比普通二极管快很多，提升效率效果接近SiC二极管，但是相比SiC二极管便宜很多。并且，FRED PT超快恢复二极管工作温度最高可达175℃，可以为系统设计带来裕量。

太阳能发电系统中电池板的部分电池组可能会受到阴影遮蔽。如果将每个电池组并联一个旁路二极管，该二极管构成受遮蔽电池组的旁路，保证系统电流的流通，并且保护电池组免受反向电压的损害。威世45V TMBS肖特基二极管具有较低的正向导通压降，可作为旁路二极管应用于太阳能接线盒。

新能源领域是威世看好的应用领域之一。威世注重研发创新，推出不到5年的产品占目前销售额的比例为26%，在未来的数年内，这个比例将继续增加。威世技术专家组在中国（西部）电子展和电子元件技术网联手举办的2011西部电子论坛中举办专场技术讲座，分别于23日和25日上午在成都明悦大酒店和西安曲江国际会展中心成功为广大的工程师朋友作了详细的经验交流。

Vishay 新型电子元器件在工业及新能源中的应用

新闻事件：威世技术专家组登陆2011西部电子论坛举办专场技术讲座

事件影响：全方位元器件解决方案助力新能源逆变器设计

知名分立器件和被动元件供应商Vishay 继23日在成都成功举办了技术专场之后，25日整体技术团队移师西安，进一步把在工业及新能源应用的新型元器件技术带给西部的电子市场。会议集电源管理、二极管与功率模块、电容、光耦四场技术演讲，全面讲解了新型元器件在新能源、逆变器、通讯、高可靠性和工业领域的设计。

在光伏逆变器和风电变流器中，威世DC-link薄膜电容可用作稳压滤波，预期寿命大于15年，具有更低的损耗，更好的稳定性。用4～6薄膜电容 MKP1848/9就能替换掉采用60～80个电解电容器的老式设计。101/102 PHR-ST是采用非固态电解液的极化铝电解电容器，非常适合高功率开关转换器中的直流母线电容器和脉冲电源应用中的能量储存。除新能源领域外，上述的薄膜电容和铝电解电容还可用于军工和列车牵引机。

MOSFET或IGBT作为逆变器/变流器控制开关，如果由光隔离驱动器驱动，可以将大电流隔离，还可以保护控制单元免受高压大电流的冲击，避免大功率部分的快速电压瞬变干扰。威世VO3120是光隔离 IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV/us。此外，VO3120还适合用于电机控制、焊接设备、电磁炉以及等离子显示器。

逆变器电力转换部分可以使用分立MOSFET和PWM控制器设计，也可以使用集成PWM控制器和MOSFET的电源管理模块，威世推出的电源管理芯片 DrMOS比起分立设计，集成的电源管理芯片可实现更高的功率密度和更高的开关频率，大大简化芯片的周边电路，显著缩短设计周期以及成本。

Vishay西部新能源元器件体系概述

新闻事件：Vishay 25日举办了西部电子论坛的演讲——西安Vishay 技术专场讲座

事件影响：讲解新型元器件在新能源、逆变器、通讯、高可靠性和工业领域的设计

知名分立器件和被动元件供应商Vishay 于25日在曲江国际大酒店举办了在西部电子论坛的第二站演讲——西安Vishay 技术专场讲座，会议集电源管理、二极管与功率模块、电容、光耦四场技术演讲，全面讲解了新型元器件在新能源、逆变器、通讯、高可靠性和工业领域的设计。

FRED PT超快恢复二极管及晶闸管(SCR)可应用于不同类型的太阳能逆变器(solar inverter)中，使用之后可提升PFC的效率，最终提升整个逆变器的效率，而在在工业领域应用中则可以使用高压大功率二极管，晶闸管及IGBT模块等产品。

图1 FRED PT性能的折中与应用

光电耦合器可以大大提高现有系统的性能，并提供从致命的电压等级的安全隔离。将光耦合器集成到现有的设计中是满足大多数国家的基本的设计要求。耦合器必须满足国家和国际机构的各种隔离要求。图2是Vishay的光隔离器件，图3为Vishay提供的VO3120是光隔离 IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV/us。

图2 VO3120光隔离 IGBT驱动器

图3 Vishay的光隔离器件性能比较

Vishay的SiR662DP功率MOSFET获《今日电子》Top10 DC/DC电源产品奖

新闻事件：

Vishay的SiR662DP功率MOSFET获Top-10 DC/DC电源产品奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。

《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得显著进步、性价比显著提高三个方面，对前一年发布的数百款产品进行评选。Vishay的SiR662DP功率MOSFET凭借在DC/DC应用上的创新和成功示范，荣获该奖项。

《今日电子》Top-10 DC/DC电源产品奖的颁奖仪式在9月8日北京国宾酒店举行的2011电源技术研讨会期间举行。Vishay公司北京办公室的销售经理Alice Wei代表Vishay领取该奖项。

SiR662DP的低导通电阻意味着更低的导通损耗，可降低能耗，尤其是重负载条件下，而低导通电阻与栅极电荷的乘积(优值系数，FOM)能够降低高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度，在更加绿色环保的解决方案中实现更低的功率损耗。

产品目录

推荐产品

一、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻特点

二、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻应用场合

三、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻最终产品

四、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻产品描述

五、Vishay MCW 0406 AT 薄膜电阻技术规格