SiC碳化硅MOSFET的基本结构及SIC MOS的主要参数
SiC碳化硅MOS内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。
平面SiC MOSFET的结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻；同时，这种结构的寄生电容也较大。
沟槽SiC MOSFET的结构将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，由于要开沟槽，工艺变得复杂，单元的一致性、雪崩能量比平面结构差。但是，由于这种结构可以增加单元密度，没有JFET效应，沟道晶面实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构要明显的降低；同时，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低，因此，新一代的结构都研究和采用这种结构。
碳化硅mosfet有哪些主要参数
碳化硅MOSFET相关的主要参数包括：
- 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，MOSFET的开关速度会变慢。
- 导通电阻（Rdson）- 这是MOSFET在线性区域内的电阻。它与MOSFET的尺寸和结构有关，Rdson越小，MOSFET的效率就越高。
- 最大漏电流（Idmax）- 这是MOSFET在最大允许温度下能承受的最大漏电流。
- 最大额定电压（Vdss）- 这是MOSFET能够承受的最大电压。
- 开关速度（switching speed）- 这是MOSFET的开关时间，即从关到开或从开到关的时间。它通常说是在负载电感和电容条件下的开关时间。
- 上一篇:瑶芯微MOS管代理
- 下一篇:已是最后一篇
