ROHM适用于工业设备和基站电机的新一代双极MOSFET：QH8Mx5/SH8Mx5系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。
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背景
近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。
在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合，使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外，为了满足更广泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。
本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化， 还有助于减少器件选型（Nch和Pch的组合）的时间。
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新产品特点
1实现业界超低导通电阻
在ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET中，采用了新工艺、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。
2具备只有双极MOSFET才有的特点，有助于实现设备的小型化和缩短设计周期
通过在一个封装中内置两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），安装面积可减少75%。
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与预驱动器IC组合
可提供更出色的电机驱动解决方案
通过将本产品与已具有丰硕实际应用业绩的ROHM单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。通过为外围电路设计提供双极MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。
组合示例
■ QH8MC5（±60V耐压Nch+Pch双极MOSFET）和BD63001AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）
■ SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BM62300MUV（三相无刷电机预驱动器IC）
■ SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BD63002AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）等
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产品阵容
Nch+Pch双极MOSFET
Nch+Nch双极MOSFET
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应用示例
■ FA设备、机器人等工业设备和基站用的风扇电机
■ 大型消费电子设备用的风扇电机
术语解说
*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。
*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET
Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。
可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。
Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。
*3) 导通电阻
使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。
