中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件,半导体特殊器件,复合管,PIN 型管,激光器件的型号命名只有第三,四,五部分)组成. 五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管,3-三极管。如：肖特基二极管、快恢复二极管、开关三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时:A-N 型锗材料,B-P 型锗材料,C-N 型硅材料,D-P 型 硅材料.表示三极管时:A-PNP 型锗材料,B-NPN 型锗材料,C-PNP 型硅材料,D-NPN 型硅材料.
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管,V-微波管,W-稳压管,C-参量管,Z-整流管,L-整流堆,S-隧道管, N-阻尼管,U-光电器件,K-开关管,X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W),G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W),D-低频大功率管(f <3MHz,Pc>1W),A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W),T-半导体晶闸管(可控整流器),Y-体效应器件,B-雪崩管,J-阶跃恢复 管,CS-场效应管,BT-半导体特殊器件,FH-复合管,PIN-PIN 型管,JG-激光器件.
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管,1-二极管,2 三极或具有 两个 pn 结的其他器件, 3-具有四个有效电极或具有三个 pn 结的其他器件,┄┄依此类推.
第二部分:日本电子工业协会 JEIA 注册标志.S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记的半导体分立器件.
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP 型高频管,B-PNP 型低频管,C-NPN 型高频管,D-NPN 型低频管,F-P 控制极可控硅,G-N 控制极可控硅,H-N 基极单结晶体管,J-P 沟道场效应管,K-N 沟道场效应管,M-双向可控硅.
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号.两位以上的整数-从―11‖开始,表示在日本电子工业协会 JEIA 登 记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品. 第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志.A,B,C,D,E,F 表示这一器件是原型号产品的改进产品.
美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型.JAN-军级,JANTX-特军级,JANTXV-超特军级,JANS-宇航级,(无)-非军用品.
第二部分:用数字表示 pn 结数目.1-二极管,2=三极管,3-三个 pn 结器件,n-n 个 pn 结器件.
第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记.
第四部分:美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.
第五部分:用字母表示器件分档.A,B,C,D,┄┄-同一型号器件的不同档别.如:JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关 三极管,JAN-军级,2-三极管,N-EIA 注册标志,3251-EIA 登记顺序号,A-2N3251A 档.
国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国,法国,意大利,荷兰,比利时等欧洲国家以及匈牙利,罗马尼亚,南斯拉夫,波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半 导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度 Eg=0.6~1.0eV 如锗,B-器件使用材料的 Eg=1.0~1.3eV 如硅, C-器件使用材料的 Eg>1.3eV 如砷化镓,D-器件使用材料的 Eg<0.6eV 如锑化铟,E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征.A-检波开关混频二极管,B-变容二极管,C-低频小功率三极管,D-低频大功率三极 管,E-隧道二极管,F-高频小功率三极管,G-复合器件及其他器件,H-磁敏二极管,K-开放磁路中的霍尔元件,L-高频大功率三极 管,M-封闭磁路中的霍尔元件,P-光敏器件,Q-发光器件,R-小功率晶闸管,S-小功率开关管,T-大功率晶闸管,U-大功率开关管, X-倍增二极管,Y-整流二极管,Z-稳压二极管.
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号.三位数字-代表通用半导体器件的登记序号,一个字母加二位数字-表示专用半导体器 件的登记序号.
第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档.A,B,C,D,E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志. 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类.常见后缀如下:
1,稳压二极管型号的后缀.其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母 A,B,C,D,E 分别表示容 许误差为± 1%,± 2%,± 5%,± 10%,± 15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母 V, 代表小数点,字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值.
2,整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特.
3,晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值. 如:BDX51-表示 NPN 硅低频大功率三极管,AF239S-表示 PNP 锗高频小功率三极管.
欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家,如德国,荷兰采用如下命名方法.
第一部分:O-表示半导体器件
第二部分:A-二极管,C-三极管,AP-光电二极管,CP-光电三极管,AZ-稳压管,RP-光电器件.
第三部分:多位数字-表示器件的登记序号.
第四部分:A,B,C┄┄-表示同一型号器件的变型产品.
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍.
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半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容、Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容、 Cjv---偏压结电容、 Co---零偏压电容、 Cjo---零偏压结电容、 Cjo/Cjn---结电容变化、 Cs---管壳电容或封装电容 、 Ct---总电容、 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比、 CTC---电容温度系数 、 Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 、 IF(AV)---正向平均电流、 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压
VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.
IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流
f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压
双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容(外电路参数) Co---输出电容 Cob---共基极输出电容.在基极电路中,集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容(外电路参数) Cp---并联电容(外电路参数) BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路,CE 结击穿电压 BVebo--- 集电极开路 EB 结击穿电压 BVces---基极与发射极短路 CE 结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE 结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率.当三极管功率增益等于 1 时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压 VEB 条件下,发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻 R,集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压 VCE 下,集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值. IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻) rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地,在规定 VCE,Ic 或 IE,频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻(外电路参数) RB---外接基极电阻(外电路参数) Rc ---外接集电极电阻(外电路参数) RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极(直流)电压 VCE---集电极-发射极(直流)电压 VBE---基极发射极(直流)电压 VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻 R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压. VSB---二次击穿电压 VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数) Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数) VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数) VCE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降) VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流. IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压
场效应管参数符号意义
Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时,漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时,截止栅电流 IGSO---漏极开路时,截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感(外电路参数) LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻 η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数
机遇与挑战： 政策推动半导体照明产业可持续发展 利用国际力量更好推动半导体照明节能产业的发展
全球节能照明领域的发展及环境的可持续发展得到响应近日，国际半导体照明联盟(ISA)与IEEE电子元件封装和生产技术学会签约仪式在中国科学院半导体研究所隆重举行，ISA主席吴玲向IEEE电子元件封装和生产技术学会主席RolfAschenbrenner先生颁发ISA成员证书，这将代表着IEEE电子元件封装和生产技术学会正式成为ISA成员。中华人民共和国科学技术部副部长曹健林，原科学技术部副部长，中国技术创业协会理事长马颂德、中国科学院副院长阴和俊、国家发改委环资司副司长谢极、国际半导体照明联盟主席吴玲,国家半导体照明工程研发及产业联盟研发执行主席、中国科学院半导体所所长李晋闽，IEEE电子元件封装和生产技术学会主席RolfAschenbrenner等几十位代表出席签约仪式。
对于半导体照明节能产业发展来讲，全球范围内的创新网络建立与创新应用领域的拓展，是深入挖掘半导体照明节能潜力、增强社会认知度的重要途径。曹健林副部长在大会致辞中表示：“本次IEEECPMT与ISA的合作备忘录的签署，标志着ISA全球合作与创新网络进入了新的发展阶段。合作双方一定会在充分发挥彼此优势的基础上，秉着互利共赢的宗旨，深入挖掘半导体照明节能潜力、增强社会认知度，带动更多的国际资源与社会力量，更好推动半导体照明节能产业的发展。”
IEEE电子元件封装和生产技术学会在全球材料科学，化学工艺，可靠性技术，数字模拟，分离元件，混合元件及电子封装等方面具有权威的专业领域影响力。尤其是在半导体照明封装与集成技术，如：板上芯片封装（CoB）、晶元级封装（WLP）及其它各种先进的封装和集成技术、大功率LED模组的设计及应用等方面成就卓越。RolfAschenbrenner在发言中也表示,非常高兴能加入ISA，IEEECPMT希望这种以国际合作的形式开发节能技术，将为全球节能照明领域的发展及环境的可持续发展作出贡献。
新闻事件： 意法半导体2010年MEMS制造服务营业收入为2.286亿美元
事件影响： 意法半导体是2010最大MEMS商
据IHS iSuppli研究，意法半导体(STM)在2010年仍然是最大的MEMS传感器生产商，营业收入几乎是排名第二的德州仪器的五倍。
STM是一家由意大利和法国公司合并而成的公司，总部设在瑞士日内瓦。该公司2010年MEMS制造服务营业收入为2.286亿美元，而美国德州仪器只有4740万美元。图1所示为IHS iSuppli公司的10大MEMS厂商排名，其生产的MEMS器件供自身使用或为他人代工。
IHS iSuppli把MEMS厂商分为两类，一类是“纯”MEMS生产商，不为自己生产MEMS；另一类是“混合模式”厂商，即整合器件制造商(IDM)，除了为自己的核心业务提供MEMS器件以外，还提供MEMS合同制造服务。
STM连续第四年排名第一，而且是营业收入超过一亿美元的唯一一家MEMS厂商。为惠普生产喷墨晶片(Inkjet wafer)，占STM营业收入的大多数。尽管惠普喷墨营业收入不断萎缩，但STM最近四年通过提高在惠普喷墨生产中的份额而设法扩大了这项业务。STM 还开始与柯达等其它喷墨打印机厂商合作，并在生物MEMS领域赢得了一些代工项目，如为瑞士Debiotech生产胰岛素注射器。
德州仪器尽管保持第二的排名，但受其大客户Lexmark喷墨打印机业务锐减的影响，其MEMS营业收入自2004年以来持续急剧下降。但德州仪器最近与一家消费MEMS厂商签署了代工协议，预计将从2011年开始为德州仪器带来营业收入。该消费MEMS厂商在业内排名前15。
另外两家比较突出的混合模式厂商是挪威的Sensonor Technologies，排名第三，营业收入是3800万美元；排名第四的索尼，营业收入3190万美元，借助其主要客户Knowles Electronics在MEMS麦克风领域的出色表现，营业收入大增了51.2%。
随着 IT 技术向传统汽车产业的延伸，全球掀起了汽车智能化的大潮，汽车电子正从汽车的附属部分逐渐变成汽车技术创新的主导领域。数据显示，中国汽车电子行业潜力巨大，全国汽车电子销售额也从2009年的160亿美元猛增到206亿美元。在产业深度融合的大背景下，7月20日至21日， 2011中国汽车电子国际论坛暨汽车半导体应用峰会（以下简称 CAESA 峰会） 在中国最大的专业软件园 -- 成都天府软件园 盛大启幕。
为期两天的会议期间，近200位专家学者、整车厂商、芯片企业、车载系统开发方代表共聚一堂，来自产业链各个环节的演讲嘉宾一一登场，发表了他们真知灼见，为与会者揭示了未来汽车电子的发展领域和方向，分享了产业发展进程中孕育的机遇和热点，也让本次主题峰会成为引领汽车电子产业发展的理论高地和技术前沿。
跨行业突破，金融保险业将成为推动车联网商业模式完善的强劲动力
汽车技术正在进行一场以信息技术为核心的新技术革命。据统计，汽车70%的创新来自于汽车电子技术，创新则集中在网络化、智能化、多媒体化三方面。汽车电子技术已进入优化“人、汽车、环境”整体协调发展的新阶段，以车联网为主的发展趋势正在汽车产业中快速发酵，而它带来的深刻改变并不仅仅局限于汽车领域。
“目前车联网有四个不同的发展道路：一是乘用整车厂主导型(如通用的OnStar)；二是商业车队管理主导型(如物流公司)，主要是通过 M2M 的手段；三是公共服务主导型(如智能交通)；四是消费电子主导型，基本以导航和娱乐为目标。”在 CAESA 首日峰会上，中国移动 通信研究院首席科学家、国家千人计划特聘专家杨景 分析了车联网产业发展的机遇与挑战。他表示：“就目前而言，我国车联网行业亟需构建起可持续循环的群体多赢的新型博弈环境，从技术和产业要素两个角度去推动整个车联网产业的建立。”杨景认为，苹果（Apple）在互联网应用上的成果经验，对车联网转型具有的重要启示：不光汽车制造商，所有人都应该考虑从研发、生产走向服务，考虑转型后价值的获取来源，即以用户体验为中心的商业模式的建立。
杨景进一步指出，在车联网的时代，许多产业原有的工作形态都会随之改变。“我们发现，金融保险业将是推动商业模式完善的一个强劲动力。车联网使驾驶安全性大幅度提高，事故率降低，保险公司的利润就能相应增加。”“作为新兴战略产业，车联网的迅速发展还需要众多相关技术的支撑保证，比如对 网络 质量的更高要求，需要可靠的网络连接、超强的计算能力、足够快的响应速度等等，这些都需要网络技术的创新来推动。”
落子成都的国内汽车软件龙头 -- 启明信息技术股份有限公司也在此次峰会上亮相，其汽车电子事业部企业规划室主任王闰新预测，到2015年，国内车载信息系统装比例将从目前的4%提升至16%。纵观国内车联网发展环境，相关标准尚未完善，产业资源有待整合，且国内汽车电子车载信息系统市场竞争激烈，而国际厂商借以高性价比抢占市场，加之车载前载系统与后装系统实现功能、品质标准及服务统一还存在不小差距。尽管重重困阻，王润新仍然认为，随着车联网服务广泛应用和产业链内厂商的推动，产业正稳步进入一个合理利行的增长阶段，而商业模式的不断完善，将最终推动中国车联网在多领域的应用发展。
网络软件与服务提供商 Telcordia 执行总裁 Craig Vielguth 也表示“车联网将重新创造一个汽车的世界。受到汽车和电子信息产业的融合影响，我们将发现客户最需要的价值，然后，重新改写竞争规则。”
推进产业标准化，以核心技术谋求新能源汽车的发展主动权
缺少核心技术和产业标准一直是国内汽车产业发展之路上无法避忌的短板。针对目前在国际范围内具有一定优势的新能源汽车，中国汽车人如何突破，如何谋求在中国市场和国际市场长远发展的主动权也成为了 CAESA 峰会上的热议话题。
中国电子工业标准化技术协会的副秘书长、车载信息服务产业应用联盟秘书长庞春霖 指出，从政府和行业推进方面来看，中国汽车产业首当其冲就是从“标准联合”和“专利联合”入手，行业标准和知识产权相当于产业的“护城河”。在“护城河”内，专利技术可以进行转让与合作，还能参与国际专利置换，产业技术联盟整合往往会比单个企业直面全球市场单打独斗要强得多。
中国汽车研究中心主任徐立在首日峰会上带来了《电动车辆电磁兼容技术要求及解决对策》的技术分析。“汽车技术是一项工程技术，是需要时间和技术的积累。尽管国内新能源汽车在公共领域已开始示范运行，但在私人乘用车方面进展依然不大。”徐立客观评价了目前新能源汽车的现状。他表示，家庭电网设施薄弱，电池标准化难以统一，运营商与整车厂商的利益问题，都造成了电动汽车发展的举步维艰。
为改变这一局面，今年5月，工业和信息化部颁布了《工业和信息化部2011年标准化重点工作》，明确指出将加强标准战略研究，在节能和新能源汽车等重要领域开展标准制定和修订，并在北京、上海、合肥等6个城市启动私人购买新能源汽车补贴试点，以发挥标准的引导和规范作用，加大支持力度满足产业发展的需求。
具有多年自主创新积累的长安汽车，是国内最早投入新能源汽车技术研究的为数不多的几家企业之一，特别在混合动力、燃料电池、太阳能等驱动技术方面的研发实力已处于国际领先水平。长安汽车汽研总院先期技术研究中心主任黎予生表示，长安在今年上海车展上推出了纯电动概念车 Clover，奔奔 MINI、CX20和金牛星纯电动车型的集中亮相，展示了国内汽车产业在电动车核心技术领域的突破。根据长安“十年三步走”的长期规划，到2020年，长安汽车的节能与新能源汽车销售占有率将达到30%，出厂整车超过100万辆。
在此次 CAESA 峰会，来自日本的行业专家也分享了日本产业界实践中的宝贵经验。由名古屋大学等学术界发起的日本 Toppers 协会是一家致力于高质量的嵌入式系统开发推广的非盈利机构，关注嵌入式软件教育，以联盟形式在芯片厂商和汽车厂商间发挥作用。令人印象深刻的是，相比于国内强调政府导向，重视系统研究和产品开发，日本更注重基础系统软件开发，积极推动民间交流和商业资助项目。 日本豆藏株式会社首席咨询师中岛荣次 则介绍了今年即将在日本推广的 ISO26262标准，从中可窥视日本汽车产业在标准化方面的高度重视，值得国内业界借鉴。
打造超级汽车：IT 厂商、通讯巨头纷纷全力竞逐车载信息市场
在日趋走热的汽车电子领域，新的游戏规则已经显现，嵌入式系统开放商、芯片厂商、软件及通信行业巨头都积极推出了自己的战略。不管是在全球，还是在中国范围，“安全、绿色、联通”仍将是2011年汽车行业发展的重要趋势。正因如此，德尔福（Delphi）电子控制事业部平台及业务亚太区总监 John p. Absmeier 在主题演讲中表示，德尔福正在这三方面积极投入，努力开发新技术以抓住市场的发展趋势。特别是绿色技术，德尔福在小型化和减轻重量方面取得了重大的技术改进。如，更加智能小巧的 ECM/HEV 控制器，在监控车辆发动机、变速箱和混合驱动电机/发电机方面，可实现低排放和高经济性，新型逆变器则可减少30%的损耗，使车辆发挥出色性能。
从美国加利福尼亚州远道而来的英伟达（NVIDIA）全球汽车市场总监 Danny Shapiro 对中国市场表示出了极大兴趣。英伟达以“关键技术视觉化”打造以顾客为中心的“超级汽车”概念透露出了其 Tegra 处理器的雄心壮志，功率仅为 Atom 的1/10左右，而功耗可降低百倍。因此，拥有 Tegra 的移动互联网和运算设备将大展拳脚。“我们已经走出了被电脑束缚的时代，汽车将成为一个新兴增长的领域。驾驶者将发现他们可以完全融入网络，车载娱乐及可视安全系统将更加完美，而仪表集成因我们在视觉计算领域的造诣能够更加个性化。”
丰田的 G-book、通用的 OnStar、日产的 CarWings、现代 BlueLink……随着越来越多的国外汽车巨头加入了中国车载信息市场的角逐，国内汽车企业也在加快自主研发的步伐。黎予生表示：“搭载长安汽车 InCall 车载信息系统的车型已在今年上海车展展出，搭载 InCall 车载信息系统的悦翔3G 版已于今年2月交付给了重庆的首批用户。” 德赛汽车电子事业部海外售后事业单元总经理段拥政 表示，公司已将车载信息系统纳入今后的战略发展规划之中，并将从信息娱乐服务方面切入。 航盛电子股份有限公司技术中心副主任何照丹 则透露，航盛在车载信息方面计划在2015年实现100亿元的销售额、1000万套的生产规模、8%以上的净利润。
消费者对汽车安全、节能、舒适的巨大需求，以及智能化、数字化需求的丰富，推动着汽车电子产业的高速发展，而车联网仍旧是各方最为关心的趋势。中国移动首席科学家杨景认为，产业生命周期的成熟度不是指单一技术，而是指产业链，产业环境，以及消费环境。车联网的兴起带来了电信业基于宽带高速实时响应的技术革新。而当整车实现智能化驾驶、智能控制的那一刻起，通信业、物联网、云计算、传感器、信息服务都不再孤立，一个全新的产业结构的变化将被催生。届时，车联网将真正获得其应有的应用价值。而汽车不仅仅是交通工具，它将从代步工具迅速转变成具有互联功能的智能终端，参与到人们生活的方方面面。
新闻事件：石墨烯可与金属纳米结构结合
事件影响：让互联网的速度提高几十倍
据《自然•通讯》杂志报道，石墨烯的研究获得新进展，让石墨烯与金属纳米结构结合可将石墨烯的聚光能力提高20倍，改进后的石墨烯设备有望在未来的高速光子通讯中用作光敏器，一举让互联网的速度提高几十倍。
现在，很多科学家都开始认为，石墨烯将广泛应用于超级计算机、触摸屏和光子传感器等多个领域。，从而取代硅成为未来的电子元件材料。
石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体，只有一层碳原子的厚度，是迄今最薄也最坚硬的材料，其导电、导热性能超强，远远超过硅和其他传统的半导体材料。
科学家早在1974年就从理论上提出石墨烯可能存在，但在此后很长时间里，制取石墨烯的努力一直没有成功。2004年，海姆和诺沃肖洛夫用普通胶带从石墨 上剥离出石墨片，并重复操作，石墨片越来越薄，最终得到单层石墨片，即石墨烯。2010年，他们因此获得诺贝尔物理学奖。
而近年来，石墨烯的应用发展也很迅猛。
2011年4月份，IBM向媒体展示了其最快的石墨烯晶体管，该产品每秒能执行1550亿个循环操作，比之前的试验用晶体管快50%。
2011年6月份，据美国媒体报道，美国华裔科学家使用纳米材料石墨烯最新研制出了一款调制器。这个只有头发丝四百分之一细的光学调制器具备的高速信号传输能力，有望将互联网速度提高一万倍，一秒钟内下载一部高清电影指日可待。
但是，其设备在实用过程中一直遭遇聚光效率低下这一瓶颈，石墨烯只能吸收照射于其上的3%的光线来产生电力，其余光线全成了“漏网之鱼”。
现在，科学家通过将石墨烯和纳米金属结构耦合在一起，并将金属结构采用特殊的排列方法置于石墨烯上解决了这个问题。这种所谓的等离子体纳米结构显著增强了能被石墨烯感应的光电场，并能有效地将光集中在石墨烯上，将石墨烯的聚光性能提高了20倍，而且其数据处理速度没有受到丝毫影响。
迄今为止，石墨烯的主要研究领域一直集中于基础物理学和电子学。而这项最新的技术将使得石墨烯在光子学和光电子学领域也有重要的应用潜力，可用于制造太阳能电池和光敏器等多种有用设备。
目前，石墨烯在电子行业的应用中研发的方向主要有四个领域,包括：
1、石墨烯可替代晶硅应用在将芯片领域,将芯片速度提高到THZ级别。
2、石墨烯制成的锂离子电池负极材料能够大幅提高电池性能。
3、石墨烯制成的超级电容器,充电时间只需1毫秒。
4、石墨烯可以替代ITO作为导电材料制成显示器件。
可惜的是，就目前看来，石墨烯规模化供应和需求至少需要8-10年才能实现产业化。因为现在行业仍在量产摸索阶段，也没有形成下游的应用和需求。而且国内从事石墨烯研究的机构主要为各大科研院校及一些石墨产品生产企业,只能小量生产石墨烯样品,并没有规模化生产的能力。
但是作为新材料的王者，石墨烯无疑对硅构成了强烈的威胁。
新闻事件： 美研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料 相关研究发表在材料科学领域的杂志《先进材料》事件影响： 这种场效应晶体管是所有现代电子设备的基础零件 该突破设计出性能更优异、成本更低的电子设备
据美国物理学家组织网近日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学领域最著名的杂志《先进材料》上。
美国维克森林大学物理学副教授奥纳-祖切斯库和来自美国斯坦福大学、肯塔基大学、阿巴拉契亚州立大学、英国伦敦帝国理工学院等各个专业领域的科学家携手合作，研制出了这种有机半导体材料。科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。
科学家们指出，在目前的消费市场上，电子产品都很昂贵，主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高；而碳基（塑料）有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处不在”这一未来趋势。
以前的研究表明，碳结构越大，其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究，直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造晶体管的有机半导体材料。
有机半导体是一种塑料材料，其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中，电路使用晶体管控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。
祖切斯库团队也用新材料制造出了场效应晶体管，这种场效应晶体管是所有现代电子设备的基础零件，因为晶体管的性能决定了显示屏的开关速度、细节以及其他关键属性，该最新突破有望带来巨大的技术进步，并借此设计出性能更优异、成本更低廉、由塑料制成的电子设备。
新闻事件：IBM和3M公司宣布将共同开发一种新的粘接材料
事件影响：实现半导体的3D封装
据科技资讯网站CNET报道，IBM和3M公司近日宣布将共同开发一种新的粘接材料。该材料可以帮助芯片塔密集叠放，进而实现半导体的3D封装。
IBM是半导体的万事通，而3M是粘接材料的专家。两者强强联合的目的就在于通过研发新粘接材料制造出商用的3D芯片。
据IBM方面称，这种半导体材料将由100层单独芯片组成。这样的芯片堆将更好地提升系统芯片的能力。计算、网络以及记忆等功能都将可能在一个处理器上实现。
目前最大的困难就是找到合适的粘接材料。这种材料需要良好的导热性并能保持逻辑电路不热。现在IBM可以实现几个芯片的叠加，但是需要叠加的芯片越多，其难度也就越大。
IBM和3M的目标就是在2013年前研发出这种能实现芯片叠加的粘接材料。
新闻事件：日韩企业将连手 合资开发手机半导体
事件影响：日韩企业认为若能合作 将可开拓智能型手机的需求
日本NTT移动通信网公司、富士通等将与韩国三星电子合作开发新世代智能型手机用的中核半导体，目标在明年成立合资新公司。
日本多家通讯大厂将与三星连手，开发目前占有美国企业高市占率的通讯用半导体技术。日韩希望连手确保半导体开发的主导权，以利开拓全球市场。
日韩要合资创设的新公司总部将设于日本，资本额约300亿日圆(约新台币115亿元)。日本NTT移动通信网公司(NTT DoCoMo Inc.)出资过半。除三星、富士通之外，NEC等公司正在磋商出资比例。预料新公司将专注于开发、设计与销售半导体，然后委托外部厂商制造。
新世代通讯用控制半导体技术比原来的技术可处理更大容量的数据，开发成本也增高许多。若NTT移动通信网公司的通讯技术及三星的量产技术、富士通的设计技术等结合，可分担开发经费。
开发的产品除供应出资的各家公司智能型手机之外，也可销售给全球手机厂商。也看好将来引领全球市场的中国大陆市场。
智能型手机今年全球出货数约4亿7000万台。估计2015年出货的11亿多台手机当中，智能型手机约占半数。日韩企业认为若能合作，将可开拓智能型手机的需求。
新闻事件：
意法半导体发布太阳能发电创新技术和高能效住宅解决方案事件影响：
提升从太阳能板至电网的全程能源转换效率
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及能效解决方案供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）发布最新的太阳能发电创新技术和未来的高能效住宅解决方案。
意法半导体美州区工业事业部副总裁Steve Sachnoff表示：“太阳能是目前最有前景的再生能源之一，若要实现太阳能发电能够与污染严重的传统燃煤、天然气或石油发电方法在市场上同台竞技，能源收集和光电转化效率最大化至关重要，而这正是意法半导体能够发挥作用的地方。”
作为太阳能电子技术领域的领先厂商，意法半导体可提供完整的系统解决方案，最大限度地提升从太阳能板至电网的全程能源转换效率。意法半导体近期推出一系列针对其 SolarPlus参考设计开发的先进产品。SolarPlus参考设计组合包括功率优化器、太阳能接线盒、智能太阳能接线盒、微逆变器以及逆变器等模块，能够让下一代发电设备的控制变得更加简易，并产生更多的再生能源。
太阳能升压器 （SPV1020） 能够最大限度地提升从一块太阳能板上采集的电能，提高太阳能发电系统的总体能效，是市场首款兼具功率优化和功率转换双重功能的IC。该器件内置最大功率点跟踪（MPPT）精密算法，以确保太阳能板在任何天气条件下均可输出最大功率。
意法半导体的SPV1040太阳能充电器与SPV1020采用相同的概念，能够为配备太阳能电池的手机等便携设备充电。温度、老化、尘埃或控制单元之间的差异会在太阳能电池内部引起变化，而MPPT功能可消除这些变化对太阳能发电的负面影响，确保每个太阳能电池均可产生并输出最大的电能。因此，这款芯片可延长设备的工作时间，避免设备在没有外接电源时意外断电。
意法半导体的智能开关（SPV1001）能够提高太阳能电池级的能量转换效率。相较于传统开关二极管，意法半导体的开关管工作温度更低，这意味着产品的使用寿命和可靠性更加出色。当太阳能板正在产生能量时，整合高能效功率芯片和逻辑控制电路的新开关可最大限度地降低泄漏电流。低损耗功率开关与精度控制器二合一功能让每个太阳能板输出更多的电能。
意法半导体的微逆变器直接连接太阳能板，构成一个直流-交流太阳能模块，为断开交流电连接的家电供电。通过在模块级采用MPPT算法，微逆变器有助于电网从每个太阳能电池取得最大的电能。在一个分布式联网逆变器技术方案中，由于每个模块都是并联在交流侧，因此，分布式逆变器联网方法可以降低尘埃、碎片以及阴影对太阳能板矩阵的影响。
作为一个整体解决方案提供商，意法半导体还提供太阳能应用所需的全部连接器，如电力线调制解调器、ZigBee以及蓝牙模块。
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