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场效应管

品慧电子为你介绍什么是场效应管？品慧常销售的场效应二极管有哪些？

半导体二极管、双极型晶体管及场效应管的参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容、Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容、 Cjv---偏压结电容、 Co---零偏压电容、 Cjo---零偏压结电容、 Cjo/Cjn---结电容变化、 Cs---管壳电容或封装电容 、 Ct---总电容、 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比、 CTC---电容温度系数 、 Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 、 IF(AV)---正向平均电流、 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压
VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.
IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流
f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压

双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容(外电路参数) Co---输出电容 Cob---共基极输出电容.在基极电路中,集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容(外电路参数) Cp---并联电容(外电路参数) BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路,CE 结击穿电压 BVebo--- 集电极开路 EB 结击穿电压 BVces---基极与发射极短路 CE 结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE 结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率.当三极管功率增益等于 1 时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压 VEB 条件下,发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻 R,集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压 VCE 下,集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值. IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻) rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地,在规定 VCE,Ic 或 IE,频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻(外电路参数) RB---外接基极电阻(外电路参数) Rc ---外接集电极电阻(外电路参数) RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极(直流)电压 VCE---集电极-发射极(直流)电压 VBE---基极发射极(直流)电压 VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻 R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压. VSB---二次击穿电压 VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数) Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数) VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数) VCE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地,规定 Ic,IB 条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降) VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管,硅堆在规定的使用条 件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压 二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流. IH---恒定电流,维持电流. Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规 定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流 管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流. IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗 检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数;电容比 Q---优值(品质因素) δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率.硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率 RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量 △V,正向电流相应增加△I,则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压 Vth---阀电压(门限电压) VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL ---极限电压

场效应管参数符号意义
Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时,漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时,截止栅电流 IGSO---漏极开路时,截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感(外电路参数) LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻 η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数

场效应管与晶体管的比较及产效应管的优点

八、场效应晶体管放大器

1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号：

3、场效应管与晶体管的比较

（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用

长电mos管代理商_长电mos管型号大全

长电是二三极管封装厂家，自家的场效应MOS管做的非常不错，长电二三极管授权代理商为你整理了长电常用的mos管，长电科技与你一起成长。

型号类型PDIDVBR(DSS)RDS(on)(max)VGS(th)gfs(min)封装形式
(W)(A)(V)(Ω)IDVGS(V)ID(μA)(S)VDSID
(A)(V)(V)(A)
CJD01N60N-ch MOS11600100.6102~42500.5500.5 
CJU02N60N-ch MOS1.2526004.41102~42501501TO-252-2L(4R)
CJU01N60N-ch MOS1.251600100.6102~42500.5500.5TO-252-2L(4R)
CJU4828N-ch MOS1.254.5600.07734.51~3250454.5TO-252-2L(4R)
CJD4410N-ch MOS17.5300.0254.51~325020155TO-251-3L(4R)
CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.035-6.9-4.5-1~-3-25020-10-9.1TO-251-3L(4R)
M7002NND03N-ch MOS0.150.115607.20.51012500.08100.2WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)
CJP75N80N-ch MOS280750.0140102~425060+1040TO-220-3L
UM6K1NN-ch*2 MOS0.150.130130.0012.50.8~1.51000.0230.01SOT-363
M7002TTD03N-ch MOS0.150.115607.20.51012500.08100.2WBFBP-03A(1.6×1.6×0.5)
IRFB830N-ch MOS24.55001.52.7102~42502.5502.7TO-263-3L
IRF840N-ch MOS285000.854.8102~42504.9504.8TO-220-3L
IRF830N-ch MOS24.55001.52.7102~42502.5502.7TO-220-3L
IRF730N-ch MOS25.540013.3102~42502.9503.3TO-220-3L
IRF640N-ch MOS2182000.1811102~42506.75011TO-220-3L
IRF630N-ch MOS29.32000.45.4102~42503.8505.4TO-220-3L
CJP75N75N-ch MOS1.878750.0140102~425060+1040TO-220-3L
CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250   TO-220-3L
CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250   TO-220-3L
CJP07N60N-ch MOS276001.33.5102~42505503.9TO-220-3L
CJP05N60N-ch MOS24.56002.52.25102~42502.9402.25TO-220-3L
CJP04N60N-ch MOS2460032102~42502.5502TO-220-3L
CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-2502.3-5-2.3SOT-89-3L
CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5-4SOT-23
CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-2505.5-5-4SOT-23
CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5-5SOT-23
CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5-3.3SOT-23
CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-80.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5-4.1SOT-23
CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.5250353SOT-89-3L
CJ9926N-ch MOS0.356200.0364.50.6~1.2250   SOT-23
CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~1250453.8SOT-23
CJ3406N-ch MOS0.353.6300.0653.6101~3250353.6SOT-23
CJ3404N-ch MOS0.355.8300.0285.8101~3250555.8SOT-23
CJ3400N-ch MOS0.355.8300.0355.8100.7~1.4250855SOT-23
CJ2312N-ch MOS0.255200.31854.50.45~125020105SOT-23
CJ2304N-ch MOS0.353.3300.063.2101.2~2.225034.52.5SOT-23
CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5-1.9SOT-23
CJ2302N-ch MOS0.352.1200.063.64.50.65~1.2508+53.6SOT-23
CJ2301P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2506.5+-5-2.8SOT-23
CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-8-0.1-1-4.5-0.45-250   SOT-323
BSS138KN-ch MOS0.350.22501.60.0550.6~1.22500.2100.2SOT-23
BSS138N-ch MOS0.350.22503.50.22100.8~1.510000.12100.22SOT-23
2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51002030.01SOT-723
2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.0230.01SOT-523
2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.0230.01SOT-323
2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.0230.01SOT-23
2N7002XN-ch MOS0.50.115607.20.51012500.08100.2SOT-89-3L
2N7002WN-ch MOS0.20.115607.20.51012500.08100.2SOT-323
2N7002KN-ch MOS0.350.346050.51011000   SOT-23
2N7002DWN-ch MOS0.150.115607.20.51012500.08100.2SOT-363
2N7002N-ch MOS0.2250.115607.20.51012500.08100.2SOT-23
2N7000N-ch MOS0.350.26050.5100.8~310000.1100.2TO-92
华润微场效应管代理CS130N03A3
华润微电子：中国规模最大的功率器件企业

品慧讯：据知名知识产业媒体IPRdaily与incoPat创新指数研究中心联合发布了科创板上市企业有效发明专利排行榜。其中，中芯国际以5272件的全球发明专利总量，位居第一。专利数量超过第二名的2倍，技术优势相当明显。值得一提的是，除了中芯国际外，榜单中还有一家排名靠前的中国芯片巨头。

这家巨头正是华润微电子，在发明专利上，华润微电子坐拥全球为1180件发明专利，位列榜单第四，而事实上，华润微电子也是一家被低估了的中国芯片巨头。公开资料显示，华润微电子拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力，是为数不多能够解决芯片制造全流程的企业之一，而深圳市品慧电子有限公司是华润微重要的合作伙伴。

华润微电子成为中国规模最大的功率器件企业

华润微电子的产品主要焦距于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。其中，功率半导体业务贡献了公司的大部分营收。

早在两年前，华润微电子就成为了中国规模最大的功率器件企业。不过，华润微电子在功率半导体行业虽然整体实力相比其他国内厂商，显得十分优秀，但与海外企业相比，差距还相当明显。

当目前全球功率半导体70%芯片产地都在欧美日，产自中国大陆的功率半导体份额总量不过10%，这其中还包括不少外企产能，单是华润微电子，根本无法引起客户注意。

当然，也不能因为华润微电子“人微言轻”就小瞧这家公司。事实上，在不少细分领域，华润微电子都展现出了不输世界顶尖功率半导体制造商的实力。

例如在MOSFET产品上，华润微电子直接与英飞凌和安森美两家公司进行竞争。根据IHSMarkit公布的统计数据显示，华润微电子MOSFET产品销售额可以在细分领域排进前三。而且，华润微电子一直在精进技术，扩大产能，寻求更好的发展机会。

当然，国内并不是只有华润微电子一家功率半导体制造商。在国家逐渐加大对半导体产业扶持力度的情况下，很多后起之秀都开始的在市场上崭露头角。中国电子旗下的华虹半导体总产能其实已经超过华润微电子，若是发展趋势持续下去，那么等到其他厂商的升级完技术之后，华润微电子在功率半导体市场的一哥地位大概率也会被替代。

Nexperia新款80V和100V ASFET：PSMN4R2-80YSE与PSMN4R8-100YSE

Nexperia新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。品慧电子专注于Nexperia系列产品推广与销售，24小时热线电话：0755-29500800

Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。

ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最新硅技术与铜夹片封装结构相结合，显著增强安全工作区(SOA)并最大限度缩小PCB面积。

以前，MOSFET深受Spirito效应的影响，导致SOA性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia坚固耐用的增强型SOA技术消除了“Spirito-knee”，与前几代D2PAK相比，在50 V时SOA增加了166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了125 °C SOA特性。Nexperia国际产品高级营销经理Mike Becker表示：“以前只在25 °C时指定SOA，这意味着在高温环境中的操作，设计师必须进行降额。我们的新款热插拔ASFET包括125 °C SOA规范，消除了该耗时的任务，并证实了Nexperia的器件即使在高温下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）热插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封装。该封装独特的内部铜夹片结构提高了热性能与电气性能，同时大大减小了管脚尺寸。全新的LFPAK56E产品尺寸仅为5 mm x 6 mm x 1.1 mm，与上一代D2PAK相比，PCB管脚尺寸和器件高度分别缩小80%和75%。此外，器件的最大结温为175 °C，符合IPC9592对电信和工业应用的规定。

Becker补充道：“另外一个优点是在需要多个热插拔MOSFET并联使用的高功率应用中，使均流能力得到改善，从而提高了可靠性并降低了系统成本， Nexperia被广泛认为是热插拔MOSFET市场领导者。凭借这些最新的ASFET，我们再一次提高了标准。”

新款热插拔ASFET是最新器件，将在Nexperia位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产厂制造，已准备好批量生产。有关更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问 https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start

9月21日至23日，您还可以通过Nexperia的Power Live活动查看该新技术的实际应用 https://www.nexperia.com/power-live

关于Nexperia

Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

什么是SGT MOSFET？半导体SGT工艺与普通SGT工艺介绍

SGT MOSFET（Shielded-Gate Trench MOSFET）

屏蔽栅沟槽MOSFET。在硅片上刻出深槽，把栅极埋到深槽里，同时栅极下方还埋有另一条金属。沟道完全变成垂直的。优点是寄生电容很小（垂直方向厚氧化层+shielding减小Cgs和Cgd），真·垂直结构使得面积也较小。缺点比较贵。

MOSFET大致可以分为以下几类：Trench （沟槽型）MOSFET；SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中低压领域；平面型MOSFET；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。

SGT MOSFET及其优势

SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍。在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容以及栅电荷，器件的开关速度得以加快，开关损耗低。同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，与普通沟槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的内阻要低2倍以上。

例如相同的封装外形DFN5*6，采用SGT芯片技术，可以得到更低的导通电阻。导通损耗能够更低，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度。器件的导通电阻得以减小，导通损耗能够更低。与普通沟槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的内阻要低2倍以上。

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图2：Trench MOS和SGT MOS栅电荷对比

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图3：Trench MOS和SGT MOS的特征电阻对比

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图4：Trench MOS和SGT MOS的损耗对比

MOSFET通过SGT技术减小寄生电容及导通电阻，从而提升芯片性能，减小芯片面积。与普通的沟槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面积减少超过４成。SGT技术独特的器件结构和掩膜版图设计提升了产品的耐用度和减少了芯片面积，其独特的工艺流程设计则减少了工艺步骤和掩膜版的数量，从而减低了MOSFET的生产成本，使MOSFET产品极具性价比，更有竞争力。

采用SGT技术制造的MOSFET，与普通的沟槽型MOSFET和平面MOSFET相比，在功率密度上占有很大的优势。由于SGT MOSFET具有较深的沟槽深度，可以利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量，所以SGT在雪崩时可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。

随着手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起，中低压MOSFET的需求越来越大，中低压功率器件开始蓬勃发展，因其巨大的市场份额，国内外许多厂商在相应的新技术研发上不断加大投入。而SGT MOSFET作为中低压MOSFET的代表，被作为开关器件广泛应用于手机快充、电机驱动及电源管理系统，是核心功率关键部件。


ROHM 600V耐压Super Junction MOSFET：SOT-223-3小型封装

品慧电子讯：全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。

罗姆600V耐压Super Junction MOSFET系列

近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。

与以往TO-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

罗姆超结MOSFET这五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr*2）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源，也可联系ROHM代理商品慧电子获取。

新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格400日元/个，不含税）。

今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

罗姆600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容系列

小型电源用

小型电源用MOSFET

电机用

电机用MOSFET

＜应用示例＞

・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等

・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机