三极管_品慧电子

一、什么是复合管或达林顿管？

在一个电子管的壳内装有两个以上电极系统，每个电极系统各自独立通过电子流，实现各自的功能，这种电子管称为复合管。复合管是指用两只或多只三极管按一定规律进行组合，等效成一只三极管，复合管又称达林顿管。具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面为三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面为三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。

复合管的组合方式，即电路有四种接法：如右图所示。(a)NPN+NPN→NPN(b)PNP+PNP→PNP(c)NPN+PNP→NPN(d)PNP+NPN→PNP。前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。异极性接法，以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E1,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即为NPN型。PNP+NPN的接法与此类同。

复合管具有如下特点：

（1）复合管的导电类型取决于前一只管子：即iB向管内流者等效为NPN管，如图中的a、d所示。iB向管外流者等效为PNP管，如图b、c所示。

（2）复合管的电流放大系数β≈β1β2…。

（3）组成复合管的各管各极电流应满足电流一致性原则，即串接点处电流方向一致，并接点处保证总电流为两管输出电流之和。

应用/复合管

1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。

2、驱动小型继电器

利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如图1所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。

3、驱动LED智能显示屏

复合管的四种组合方式

LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的复合管。应注意的是，复合管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速复合管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近；容易误判断为坏管，这个请注意。

复合管的分类

复合管分为两类：一类是普通型复合管，内部无保护电路，像2W以下的中、小功率复合管多属此类；另一类内部带保护电路，大功率复合管便属此类。下表列出了硅NPN型大功率复合管的主要特性参数。。

闸流管的工作原理及其作用

一、什么是闸流管？

闸流管是在阴极－阳极之间有一个或多个栅极、具有控制特性的热阴极充气管。

闸流管

二、闸流管的分类（Thyratron)

1、静电闸流管

静电控制闸流管的栅极加负偏压，信号电压加上后，阴极发射的部分电子穿过栅极进入阳极－栅极空间，在阳极电场的作用下产生“雪崩式”放电，使闸流管导通。

2、氢闸流管(Hydrogen Thyratron)

三、闸流管的特点

闸流管与一般真空管相比，主要的优点是在传导大电流时管内损耗很低，开关效率很高。氢闸流管脉冲状态工作时的管压降一般不超过200伏,静电控制闸流管放电压降大致接近所充气体的电离电位。闸流管的栅极只能控制放电的开始，而不能控制放电的熄灭；同时，由于每次放电后都要有消电离时间，故管子重复工作频率要比真空管低得多。这些均限制了闸流管的应用。静电控制闸流管主要用于可控整流、继电器控制等方面，但已逐渐被半导体器件所取代。

氢闸流管仍有广泛的应用。闸流管内充氢可以大大提高管子的工作电压和改善频率性能。在工作过程中，氢气会不断损失，故管内装有氢气储存器，以补充氢气。在管内充氘气后，工作电压可以进一步提高。氢闸流管的功率量级远高于半导体器件，并具有很大的过载能力，因而在许多雷达装置中，特别是在中、远程警戒雷达中，仍用它作为调制器的开关元件。另外，在核聚变、加速器、激光、等离子体研究、航天、医学等方面也有应用。

四、闸流管的工作原理

栅极加上正向电压后，阴极发射出的电子便在电场的作用下向栅极运动。在运动过程中，电子不断与气体分子相碰撞,使部分气体分子电离,形成新的电子和离子。新的电子也向栅极运动，又会出现新的电离；而离子向阴极运动在适当的条件下就能在极短的时间内发生“雪崩式”过程，在阴极－栅极间形成等离子区(见气体放电)。这时，如阳极具有足够高的正向电压，那么，在阳极电场的作用下,等离子区里的部分电子将得到加速,在阳极－栅极空间使气体分子电离。极－栅极间的等离子区迅速扩展到阳极－栅极空间。这时，整个闸流管导通，栅极失去控制能力。只有在阳极电压降得很低，不足以维持放电电流时，放电才会熄灭。管子在放电熄灭以后还要经过一段消电离时间,待放电空间等离子区消失后,栅极才能恢复原来的控制功能，准备下一次工作。

五、闸流管的保养

闸流管在工作一段时间以后，由于静电吸附作用，将有一些灰尘粘在管外壁上，对玻璃管而言，可以用纱布蘸纯度高的酒精液擦拭；对陶瓷管而言，需用干的丝绸布来擦拭，最好不要用酒精。千万不能用水！

六、闸流管的应用

闸流管一般作为调制器的开关元件。在核聚变、加速器、激光、等离子体研究、航天、医学等方面都有广泛的应用。

七、闸流管的应用规则

规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

规则 2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

规则 3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，G+）。

规则 4.为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至 MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则 5.若 dVD/dt或 dVCOM/dt可能引起问题，在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。若高 dICOM/dt可能引起问题，加入一几 mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。

规则 6.假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

规则 7.选用好的门极触发电路，避开 3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt 承受能力。

规则 8.若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

规则 9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则 10.为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持 Tj 不高于 Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。

微波管的分类|微波管是什么？

一、什么是微波管？

我们将工作在微波波段的真空电子器件，简称微波管。电磁波谱中的微波波段通常指频率在300兆赫到3000吉赫，对应波长在1米～0.1毫米之间的电磁波。在第二次世界大战期间微波雷达出现后，微波管迅即得到大量应用。20世纪50年代以来，它的应用已迅速扩展到微波中继通信、卫星通信、电视广播、导航、能量传输、工业和民用加热、科学研究等方面。

二、微波管的分类

微波电子管主要包括3类原理上不同的器件，即静电控制微波电子管（如在静电控制电子管基础上发展出来的微波三极管与四极管）、普通微波管（如磁控管、速调管、行波管、正交场放大管）和新原理微波管(如回旋管)。

由于受到电子惯性等限制，早期的静电控制电子管不能工作到米波波长。20世纪30～40年代出现利用电子速度-密度调制的渡越时间微波管(常称普通微波管)，将工作波长推进到厘米波。由于普通微波管受到电子空间电荷拒斥力等限制，工作波长不能达到毫米波的短波端，所以60～70年代又出现回旋管等新原理微波管。此外，微波管还包括微波气体放电开关管。微波电子管已成为真空电子器件的一个重要组成部分。但进入60～70年代以来，由于同半导体微波器件的激烈竞争，在低频率、小功率方面，微波电子管的生产数量逐年下降。在大功率、高频率和宽频带方面，微波电子管能力还优于半导体器件。

供应长电二三极管

品慧科技供应长电、LRC等知名品牌二极管、三极管、场效应管、可控管、中高频放大三极管等。

热销长电二三极管型号有：

B772Y TO-252

D882 TO-252

CJ78M05 TO-252

CJ78M09 TO-252

CJ78M08 TO-252

CJU1117-5.0 TO-252-2L

MCR100-6 TO-92

MCR100-8 TO-92

BC546 TO-92

CJ431 TO-92

2SA1015 FE TO-92

2SC1815 FE TO-92

2SC2688 TO-126L

2N4401 TO-92

2SC1740S TO-92S

S8050 TO-92

SS8550 TO-92

MJD112 TO-251

S8550FE TO-92

S9012FE TO-92

SS8550FE TO-92

S9014FE TO-92

SS8050FE TO-92

S9015FE TO-92

S9013FE TO-92

S8550FE TO-92

S8050FE TO-92

3DD13001（小芯片，铁） TO-92

1N4004 SMD

1N4007（二极管） DO-41

1N5819（二极管） DO-41

1N4148（二极管） DO-35

2SC1623/2SA812 SOT-23

S9012/S9013 SOT-23

S8050/S8550 SOT-23

SS8050/SS8550 SOT-23

C1815/A1015 SOT-23

BC847 SOT-23

BC857 SOT-23

BAS16 SOT-23

2N7000 SOT-23

MMBT56 SOT-23

MMBT05 SOT-23

MBD914 SOT-23

2SB625 SOT-23

2SB626 SOT-23

2SC2712 SOT-23

2N7002 SOT-23

S9018 SOT-23

BAT54 SOT-23

BAT54A/C/S SOT-23

BAV70 SOT-23

晶体三极管的特点及电路放大作用

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

1、晶体三极管的特点

晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。

2、晶体三极管的作用

晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

名称：

共发射极电路

共集电极电路（射极输出器）

共基极电路

输入阻抗：中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）

输出阻抗：中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）<BR>电压放大倍数：大小（小于1并接近于1）大

电流放大倍数：大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）

功率放大倍数：大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）

频率特性：高频差好好

应用：多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。

三极管_晶体三极管的基础知识

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下：

第一部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。

转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。

各种二极管和三极管的检测方法

中心议题：

二极管和三极管的检测方法
二极管的检测：

1、检测小功率晶体二极管

A、判别正、负电极
(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。

B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。

C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。

2、检测玻封硅高速开关二极管

检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。

3、检测快恢复、超快恢复二极管

用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。

4、检测双向触发二极管

将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。

5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测

用万用表R×1k挡测量管子的好坏。对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。

6、高频变阻二极管的检测

A、识别正、负极。高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。

B、测量正、反向电阻来判断其好坏。具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。

7、变容二极管的检测

将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。

8、单色发光二极管的检测

在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。

9、红外发光二极管的检测

A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。

B、将万用表置于R×1k挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。

晶体三极管基础知识大全

晶体三极管是电子电路最基本的元器件，本文详细介绍了晶体三极管的结构类型、封装、工作原理及检验等。

晶体三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

使用多用电表检测三极管

三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。

三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即ＰＮＰ型和ＮＰＮ型。判别时只要知道基极是Ｐ型材料还Ｎ型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为Ｐ型材料，三极管即为ＮＰＮ型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为Ｎ型材料，三极管即为PNP型。

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