肖特基管
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管，是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。与普通二极管（多指用PN结形成的硅二极管）相比最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低，仅0.4V左右。
肖特基二极管的缺点：耐压比较低，漏电流较大。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管（比如开关电源次极整流二极管），续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。而普通二极管只能用在低频整流场合，耐压可以做得更高。
肖特基二极管的检测方法
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通讯等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
1．性能比较 肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，电子论文硅高速开关二极管的trr虽极低，但均匀整流电流很小，不能作大电流整流用。
2．检测方法 下面通过一个实例来先容检测肖特基二极管的方法。
肖特基二极管检测内容包括：
①识别电极；
②检查管子的单向导电性；
③测正向导压降VF；
④丈量反向击穿电压VBR。 被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R 1档进行丈量。
肖特基二极管测试结论：
第一，根据①�②、③�④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，
①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①�②、③�②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大答应值VFM(0.55V)。
另外使用ZC25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数. 四、常用的肖特基二极管主要参数 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，
产品特性： 优化了价格和性能 提供多种额定电流和封装选择 开关损耗可锐减 50%
应用范围： 将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广 用于电源和 UPS 设备中的功率因数校正二极管
科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
科锐Z-Rec二极管具有零反向恢复损耗特性，与同类硅二极管相比，开关损耗可锐减 50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能，可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用时，这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。
该系列产品非常适合在太阳能逆变器和三相电机驱动电路中用作增压二极管和反并联二极管，也可以用于电源和 UPS 设备中的功率因数校正(PFC)二极管，还可以并联运行以满足更高功率要求。
NXP肖特基二极管主要有三种，一种是小电流的肖特基二极管，电流小于200mA，一种是大电流的肖特基二极管，电流大于200mA，还有一种是地电容RF肖特基二极管。
肖特基是最常用的二三极管，常见的BAT54H就是一种常用的肖特基二极管。
双通道、共阴极、铂镍、功率肖特基二极管设计旨在实现高频开关模式电源应用（如适配器和板载DC/DC转换器）中的最低功耗。
NXP功率肖特基二极管主要特性和优势
开关损耗极小
高结点温度功能
低漏电流
经优化设计，具有低VF和高Tjmax
集成电压应力保护环
NXP功率肖特基二极管主要应用
板载DC-DC转换器
续流二极管
或环二极管
开关模式电源二极管
肖特基二极管之前给我们的感觉都是体积很大的，在消费电子产品小型化的趋势下，厂家也更新了生产技术，0603肖特基二极管已经批量生产。
特瑞仕半导体推出了世界上最小级别的 0603 尺寸超小型肖特基二极管。
特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。
XBS013V1DR-G和XBS013R1DR-G是超小型封装USP-2B01 (0.6 x 0.3 x h0.3mm)的肖特基二极管。超小型封装有利于缩小实装面积、节省空间。用于便携式仪器等小功率电路中，特别是反向漏电流 (0.3μA@VR=10V)较小的XBS013R1DR-G最适合应用于各种放大器的输入保护功能。此外、两个系列均实现了低VF (XBS013V1DR-G: VF=0.37V@IF=10mA、XBS013R1DR-G:VF=0.46V@IF=10mA)，与高密度实装相对应，有利于节省功率。
【XBS013V1DR-G、XBS013R1DR-G 的特长】
特瑞仕半导体官网：http://www.torex.co.jp/chinese
专业二三极管专家品慧电子为你分享以下关于肖特基二极管的基础知识。
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。
