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multisim可调电阻

multisim 可调电阻

概述

德州仪器公司（TI ）生产的TL431是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。他的输出电压用两个电阻就可以任意的设置到从Verf（2.5V）到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中用它代替齐纳二极管，例如，数字电压表，运放电路，可调压电源，开关电源等。

封装

TL431是一种并联稳压集成电路。因其性能好、价格低，因此广泛应用在各种电源电路中。其封装形式与塑封三极管9013等相同，如图a所示。同类产品还有图b所示的双直插外形的。

主要参数

三端可调分流基准源

可编程输出电压:2.5V~36V

电压参考误差：±0.4％，典型值@25℃（TL431B）

低动态输出阻抗:0.22Ω(典型值)

等效全范围温度系数：50 ppm/℃（典型值）

温度补偿操作全额定工作温度范围

稳压值送从2.5--36V连续可调，参考电压原误差+-1.0%，低动态输出电阻，典型值为0.22欧姆，输出电流1.0--100毫安。

全温度范围内温度特性平坦，

　　典型值为50ppm，

　　低输出电压噪声。

　　封装：TO-92,PDIP-8,Micro-8，SOIC-8,SOT-23

　　最大输入电压为37V

　　最大工作电流150mA

　　内基准电压为2.5V

　　输出电压范围为2.5~36V

编辑本段替换型号及应用领域:
　　ZTL431AH6TA

　　ZTL431ASE5TA

　　ZTL431BH6TA

　　ZTL431BZTA

　　ZTL431BCSTZ

　　ZTL431BE5TA

　　UTCTL431L

　　ZTL431BFFTA

　　应用领域:：电源

内部结构

图c

TL431的具体功能可以用图c的功能模块示意。由图可以看到，VI是一个内部的2.5V的基准源，接在运放的反向输入端。由运放的特性可知，只有当REF端（同向端）的电压非常接近VI（2.5V）时，三极管中才会有一个稳定的非饱和电流通过，而且随着REF端电压的微小变化，通过三极管图1的电流将从1到100mA变化。当然，该图绝不是TL431的实际内部结构，但可用于分析理解电路。

TL431可等效为一只稳压二极管，其基本连接方法如下图所示。下图a可作2.5V基准源，下图b作可调基准源，电阻R2和R3与输出电压的关系为U0=2.5(1+R2/R3)V0

TE ConnecTIvity在越南部署分布式天线系统

新闻事件：TE Connectivity在越南部署FlexWaveTM Prism分布式天线系统

事件影响：分布式天线系统为胡志明市郊区的Phu My Hung提供越南移动服务

TE Connectivity日前宣布，其合作伙伴ITT 已部署了TE Connectivity的FlexWaveTM Prism分布式天线系统，以便为胡志明市郊区的Phu My Hung提供越南移动服务（VMS）。在新建区域，室外移动电话服务往往很匮乏，但分区限制使ITT无法部署传统的手机信号塔。而FlexWave Prism系统以安装在电线杆上的不显眼远程设备提供了移动覆盖和服务功能。

VMS副主任Nguyen Bao Long先生表示：我们需要一种既可以满足分区要求又能简便快捷安装的解决方案。FlexWave Prism系统通过光纤将信号从附近的基站扩展到新的区域，从而让我们可以提供各项移动服务。

部署在Phu My Hung的FlexWave Prism系统包括20个远程设备。它发出1800和2100 MHz频率信号，为VMS用户提供服务。该系统的安装速度很快，仅一个月就开始为此区域提供服务。

TE无线和服务事业处副总裁兼总经理Chris Jurasek表示：一些区域由于分区或服务要求而导致传统手机信号塔的使用太昂贵或不现实，FlexWave Prism的设计非常适合为这些区域提供移动服务，而此次部署正是这类部署的绝佳案例。我们相信，由于日益增多3G和4G移动服务需要更小的基站覆盖区，像VMS这样的提供商将越来越依赖于FlexWave Prism一类的分布式天线系统。

英飞凌推出全新40V P沟道OpTIMOS P2芯片

　　2011年9月9日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。

　　新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺的基准。P沟道40V OptiMOS P2产品用作汽车桥式电路中的高边开关，无需额外的电荷泵器件，从而可大幅节约成本，改进电磁干扰性能。新器件与PWM(脉宽调制)控制装置结合使用，可具备优于N沟道 MOSFET的热性能和抗雪崩性能。这使它成为汽车电池反接保护和电机控制应用的理想之选，例如EPS(电动助力转向)电机控制装置、三相电机和H桥电机(如挡风玻璃雨刮器、电动驻车制动装置、空调风扇控制装置和电动水泵以及电动燃油泵等)。

　　鉴于沟道型MOSFET所具备的成本和能效优势，整个行业都明显看好这种技术。基于英飞凌的第二代沟道工艺，OptiMOS P2器件具备低栅极电荷、低电容、低开关损耗、大电流和出色的性能系数指标(性能系数：RDS(on) x Qg)，从而使电机具备高能效，同时最大程度地降低电磁辐射。例如，仅2.4mΩ的行业最低通态电阻(采用D2PAK封装，电压10V)不足市场上同类MOSFET的三分之一。

　　通过推出全新的P沟道40V器件，英飞凌壮大了适用于采用桥式配置的电机控制装置的产品阵容。这种采用桥式配置的电机控制装置广泛应用于各种汽车系统。桥式配置需要高边MOSFET和低边MOSFET。相对于N沟道MOSFET，新型P沟道器件不需要额外的电荷泵执行驱动直流有刷电机或直流无刷三相电机的高边开关的功能。这可节省成本，因为P沟道也可通过一个简单的驱动电路驱动。对于H桥电机而言，平均可节省大约5%至10%的成本。

　　举例来说，传统的液压助力转向系统依靠发动机提供动力，这意味着电机必须持续不断地运行。对于电动助力转向系统而言，只是在需要助力时才使用电机，这有助于降低油耗。利用电控水和油泵代替液压水和油泵还可使车身重量减轻多达4公斤，从而提高燃油效率。从环保的角度而言，电动泵也具备优势，因为在车辆回收时没有什么油需要处理。此外，电动水泵绝对是混合动力汽车必备的装置。

　　在MSL1 (潮湿敏感度等级1)条件下，采用结实耐用封装(Robust Package)的OptiMOS P2器件可承受高达260 °C的回流焊接温度。OptiMOS P2器件还采用符合RoHS标准的无铅电镀的要求。这种功率MOSFET完全符合汽车电子委员会的AEC-Q101规范。

Mouser Electronics开始供应德州仪器公司的 NaTIonal系列产品

新闻事件： Mouser开始供应德州仪器公司的National系列产品

事件影响： National系列产品扩大了全球客户群模拟产品的范围，客户能从Mouser获得他们新设计所需要的元器件

近日 –半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球分销商Mouser Electronics，宣布成为德州仪器（以下简称TI）所有National产品的全球授权分销商。

随着销售额再创新高以及对持续性全球扩张的承诺，新增的TI公司National系列产品扩大了Mouser能提供给全球客户群模拟产品的范围。有了这些TI的模拟产品，工程师可设计出能应对高难度挑战的新方案，如提高电子产品的能效——消耗更少的电量、延长电池使用寿命以及减少发热。

Mouser半导体部门副总裁Mike Scott表示：“在我们的德州仪器产品线中加入National系列产品后，Mouser成为有能力为客户提供业内库存选择范围最广的公司之一。设计人员对从Mouser采购National产品早已盼望已久，我们正全力以赴地工作以确保客户能从Mouser获得他们新设计所需要的元器件。”

Mouser拥有丰富的产品线与卓越的客服能力，通过提供先进技术的最新一代产品来满足设计工程师与采购人员的需求。Mouser通过全球19个客户支持中心为客户的最新设计项目提供具有最先进技术的最新元件。Mouser Electronics网站每日都会更新，用户可以查找超过800万种产品，并能找到超过200万种可订购的物料编号以方便地进行在线采购。Mouser.com拥有业界首用的互动式目录、数据手册、特定供应商的参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具。

艾睿电子扩展SiTIme全新SiT530x系列三级钟振荡器

新闻事件：

艾睿电子利用SiTime全新SiT530x系列三级钟振荡器扩展产品线

事件影响：

有助于艾睿电子为客户提供满足各种应用的解决方案

艾睿电子公司利用SiTime针对替代传统OCXO和TCXO的革命性全新SiT530x系列三级钟振荡器扩展了其产品线阵容。

自从2011年2月签署全球分销协议以来，艾睿电子和SiTime一直在积极推进亚洲市场的MEMS振荡器和时钟发生器，加快全硅MEMS替代晶振产品的进程。SiTime公司今天的发布将加快电子行业采用基于全硅MEMS时钟解决方案的步伐。

艾睿电子亚太有限公司业务发展副总裁黄汉基表示：“艾睿电子携手SiTime加快了我们的亚洲客户从到更有效率和成本效益的基于MEMS解决方案的过渡。SiTime是解决方案的主要领导厂商，不断刷新着性能和成本方面的新基准。凭借其独一无二的技术和艾睿电子在亚洲的实力，我们已准备就绪为我们的客户提供业界领先的基于全硅MEMS技术的时钟解决方案。这些方案可以提供增强的性能、功能和可靠性，比晶振产品的交货时间更短，拥有成本更低。”

SiTime公司市场营销副总裁Piyush Sevalia表示：“艾睿电子拥有全球影响力和出色的增值服务，是推动电子行业从晶振产品过渡到基于MEMS的时钟解决方案的重要合作伙伴。全新SiT530x系列将有助于艾睿电子为客户提供满足各种应用提高计时要求的性能和可靠性的解决方案，包括消费电子、网络、通信和存储计算。”

Power IntegraTIons将销售SiC二极管和JFET
新闻事件:

Power Integrations将销售SiC二极管和JFET

事件影响:

SiC二极管和JFET可以为高功率应用带来显著的效率和耐久性优势

高效率SiC功率器件将有绝好的市场机会

用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。

SemiSouth的SiC二极管和JFET可以为太阳能逆变器、电机驱动、电信整流器、UPS、三相逆变器和电动汽车等高功率应用带来显著的效率和耐久性优势。2010年，Power Integrations宣布对这家位于密西西比州的SiC厂商进行战略投资，投资内容包括对SemiSouth的股权投资、技术许可以及为不断扩大其SiC制造工厂的产能提供支持的其他财务承诺。

Power Integrations销售副总裁Ben Sutherland表示：“SemiSouth经久耐用、超高能效的SiC JFET和二极管是我们的产品系列的自然延伸，为我们的适用于众多高功率系统的待机电源的产品，如TOPSwitch™和TinySwitch™，提供了完美的补充。有了SemiSouth的SiC JFET和二极管产品系列后，我们将能够在这些同样应用的主功率转换电路及逆变电路上以性能更高的SiC技术替换硅二极管、MOSFET和IGBT。

SemiSouth销售副总裁Dieter Liesabeths补充说：“从极高效率水平中受益的应用(包括太阳能和电动汽车)正在不断增长，这将为我们的高效率SiC功率器件提供绝佳的市场机会。我们同Power Integrations签署的这份协议将大幅增加我们的产品销量，并在PI已拥有强大市场实力的区域内的提高我们的客户支持力度。”

TI蓝牙芯片/蓝牙模块大全及选型指南

德州仪器TI都有生产哪些蓝牙芯片呢？TI目前生产约20中适合蓝牙模块的芯片，最常用的是CC2540蓝牙芯片。以下是深圳市颖特新科技为你收集的TI蓝牙芯片大全，如需要了解TI蓝牙芯片更详细的信息请与业务员联系。

CC2541 - 2.4GHz Bluetooth® 低耗能和专利片上系统

CC2564 - 蓝牙 Smart Ready 控制器

CC2540 - 2.4GHz 蓝牙低耗能片上系统解决方案

CC2560 - 蓝牙 Smart Ready 控制器

LMX9838 - Bluetooth Serial Port Module

LMX9830 - Bluetooth Serial Port Module

LMX5453 - LMX5453 集成微型模块的蓝牙 2.0 基带控制器和无线电

LMX5252 - LMX5252 蓝牙无线电

LMX5452 - Micro-Module Integrated Bluetooth 1.2 Baseband Controller and Radio

LMX5251 - LMX5251 蓝牙无线电

CC2541-Q1 - 2.4GHz Bluetooth® 低耗能和专利片上系统

CC2560-PAN1315 - 蓝牙 v2.1 + EDR（增强数据速率）收发器

CC2560-PAN1325 - 蓝牙 v2.1 + EDR 收发器，带集成天线

CC2560-SN2100 - Murata 的蓝牙高功耗模块

CC2564-BLUEBRIDGE - 蓝牙 4.0 低能耗嵌入式双路模式模块 - Stonestreet 和 BlueRadio BR-LE4.0-D2

CC2564-PAN1326 - 双模 Bluetooth® Smart Ready

CC2564-TIWI-UB2 - 来自 LS 研究所，具有蓝牙低能耗 - Smart Ready 特性的蓝牙模块

CC2567-PAN1317 - ANT 和蓝牙双模单芯片模块

CC2567-PAN1327 - ANT 和蓝牙双模单芯片模块，带集成天线

ROHM 600V耐压Super JuncTIon MOSFET：SOT-223-3小型封装

品慧电子讯：全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。

罗姆600V耐压Super Junction MOSFET系列

近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。

与以往TO-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

罗姆超结MOSFET这五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr*2）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源，也可联系ROHM代理商品慧电子获取。

新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格400日元/个，不含税）。

今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

罗姆600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容系列

小型电源用

小型电源用MOSFET

电机用

电机用MOSFET

＜应用示例＞

・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等

・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机

产品目录

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